[发明专利]一种类氧化硅柔性薄膜的生长方法

摘要

本发明公开了一种类氧化硅柔性薄膜的生长方法，包括如下过程：将衬底放入PECVD的反应腔体内，面朝反应腔体内的射频电极，衬底与射频电极的距离保持在5‑25mm，抽真空；当反应腔体内真空度达到设定值时，通入氧气、六甲基硅氧烷和氮气，然后打开射频电源，开始在衬底上生长薄膜；当薄膜生长到期望的厚度时，关闭射频电源，然后停止通入反应气体，关闭真空泵；再通入氮气，当反应腔体内的压力达到大气压后，开启顶盖，取出生长好的薄膜，关闭顶盖；抽真空，然后通入四氟化碳气体，打开射频电源，对反应腔体进行清洗。本发明所公开的方法生长的薄膜具有很好的光学和电学特性，以及很好的致密性和机械柔性，可以作为很好的柔性薄膜封装材料。