[发明专利]一种类氧化硅柔性薄膜的生长方法

说明书

本发明公开了一种类氧化硅柔性薄膜的生长方法，包括如下过程：将衬底放入PECVD的反应腔体内，面朝反应腔体内的射频电极，衬底与射频电极的距离保持在5‑25mm，抽真空；当反应腔体内真空度达到设定值时，通入氧气、六甲基硅氧烷和氮气，然后打开射频电源，开始在衬底上生长薄膜；当薄膜生长到期望的厚度时，关闭射频电源，然后停止通入反应气体，关闭真空泵；再通入氮气，当反应腔体内的压力达到大气压后，开启顶盖，取出生长好的薄膜，关闭顶盖；抽真空，然后通入四氟化碳气体，打开射频电源，对反应腔体进行清洗。本发明所公开的方法生长的薄膜具有很好的光学和电学特性，以及很好的致密性和机械柔性，可以作为很好的柔性薄膜封装材料。

技术领域

本发明涉及一种柔性薄膜的生长方法，特别涉及一种类氧化硅柔性薄膜的生长方法。

背景技术

目前，OLEDs显示屏或其他电子产品基本采用玻璃板/环氧树脂封装或polymer/Al₂O₃/polymer/Al₂O₃.....多层结构的封装模式。玻璃板/环氧树脂封装无法应用到柔性电子中。多层封装结构中，polymer没有氧的阻断能力，Al₂O₃虽然很致密但是很脆，很容易形成微孔裂纹，氧到达OLEDs的路径只是在一定范围内经过迂回绕弯变长了，所以，没法完全起到阻断的作用。

另外，柔性电子具有非常好的应用前景，然而电子器件想要做到柔性，需要柔性金属导电材料、柔性半导体材料和柔性绝缘介质材料。目前，柔性金属材料有金、银、铝等，柔性半导体材料有部分有机半导体，但是柔性绝缘介质材料并没有很好的选择，尤其是室温下能制备的柔性绝缘介质材料。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供了一种类氧化硅柔性薄膜的生长方法，以达到生长的薄膜具有很好的光学和电学特性，以及很好的致密性和机械柔性，可以作为很好的柔性薄膜封装材料的目的。

为达到上述目的，本发明的技术方案如下：

一种类氧化硅柔性薄膜的生长方法，包括如下过程：

(1)样品加载：将衬底放入PECVD的反应腔体内，面朝反应腔体内的射频电极，衬底与射频电极的距离保持在5-25mm，抽真空；

(2)薄膜生长：当反应腔体内真空度达到设定值时，通入氧气、六甲基硅氧烷和氮气，然后打开射频电源，射频电源通过射频电极把反应腔体内的反应气体激发到等离子体状态，六甲基硅氧烷、氮气和氧气的等离子体发生化学沉积反应，开始在衬底上生长薄膜；

(3)当薄膜生长到期望的厚度时，关闭射频电源，然后停止通入氧气、六甲基硅氧烷和氮气，关闭真空泵；再通入氮气，当反应腔体内的压力达到大气压后，开启顶盖，取出生长好的薄膜，关闭顶盖；

(4)反应腔体清洗：对反应腔体抽真空，然后通入四氟化碳气体，打开射频电源，利用四氟化碳等离子体刻蚀反应腔体内在薄膜生长时沉积的类氧化硅，对反应腔体进行清洗；清洗后，先关掉射频电源，然后关闭四氟化碳气体。

上述方案中，所述衬底选用聚酰亚胺、聚异戊二烯或塑料薄膜。

上述方案中，所述衬底先采用Micro-90清洗液、丙酮、异丙醇和去离子水清洗干净。

上述方案中，步骤(2)中，当反应腔体内真空度低于1x10^-6Torr时，通入氧气、六甲基硅氧烷和氮气。上述方案中，步骤(2)中，通入的六甲基硅氧烷占总气体体积的1％-10％，通入的氧气占总气体体积的80％-90％。

上述方案中，步骤(4)中，对反应腔体抽真空5-15分钟，然后通入四氟化碳气体。

通过上述技术方案，本发明提供的类氧化硅柔性薄膜的生长方法具有如下有益效果：