[发明专利]一种类氧化硅柔性薄膜的生长方法

权利要求书

1.一种类氧化硅柔性薄膜的生长方法，其特征在于，包括如下过程：

（1）样品加载：将衬底放入PECVD的反应腔体内，面朝反应腔体内的射频电极，衬底与射频电极的距离保持在5-25mm，抽真空；

（2）薄膜生长：当反应腔体内真空度达到设定值时，通入氧气、六甲基硅氧烷和氮气，然后打开射频电源，射频电源通过射频电极把反应腔体内的反应气体激发到等离子体状态，六甲基硅氧烷、氮气和氧气的等离子体发生化学沉积反应，开始在衬底上生长薄膜；通入的六甲基硅氧烷占总气体体积的1%-10%，通入的氧气占总气体体积的80%-90%；

（3）当薄膜生长到期望的厚度时，关闭射频电源，然后停止通入氧气、六甲基硅氧烷和氮气，关闭真空泵；再通入氮气，当反应腔体内的压力达到大气压后，开启顶盖，取出生长好的薄膜，关闭顶盖；

（4）反应腔体清洗：对反应腔体抽真空，然后通入四氟化碳气体，打开射频电源，利用四氟化碳等离子体刻蚀反应腔体内在薄膜生长时沉积的类氧化硅，对反应腔体进行清洗；清洗后，先关掉射频电源，然后关闭四氟化碳气体。

2.根据权利要求1所述的一种类氧化硅柔性薄膜的生长方法，其特征在于，所述衬底选用塑料薄膜。

3.根据权利要求1所述的一种类氧化硅柔性薄膜的生长方法，其特征在于，所述衬底为聚酰亚胺或聚异戊二烯。

4.根据权利要求1所述的一种类氧化硅柔性薄膜的生长方法，其特征在于，所述衬底先采用Micro-90清洗液、丙酮、异丙醇和去离子水清洗干净。

5.根据权利要求1所述的一种类氧化硅柔性薄膜的生长方法，其特征在于，步骤（2）中，当反应腔体内真空度低于1x10^-6 Torr时，通入氧气、六甲基硅氧烷和氮气。

6.根据权利要求1所述的一种类氧化硅柔性薄膜的生长方法，其特征在于，步骤（4）中，对反应腔体抽真空5-15分钟，然后通入四氟化碳气体。