[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010592346.0 | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN112151598A | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 神谷真行;川岛崇功 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/16;H01L29/78 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 王程 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的技术课题是让高的电流流过在端子的外侧的范围设置有有源区的半导体装置。一种半导体装置，具有：半导体基板；上部电极，设置于所述半导体基板的上表面；下部电极，其设置于所述半导体基板的下表面；以及端子，其与所述上部电极连接。所述半导体基板具有形成有开关元件的有源区，所述开关元件能够让电流流过所述上部电极与所述下部电极之间。所述有源区具有位于所述端子的正下方的主要区域、和位于所述主要区域的外部的外部区域。所述外部区域具有低电流区域。在所述低电流区域内的所述开关元件以及所述主要区域内的所述开关元件接通了时，所述低电流区域内的电流密度比所述主要区域内的电流密度低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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