[发明专利]半导体装置

说明书

本发明的技术课题是让高的电流流过在端子的外侧的范围设置有有源区的半导体装置。一种半导体装置，具有：半导体基板；上部电极，设置于所述半导体基板的上表面；下部电极，其设置于所述半导体基板的下表面；以及端子，其与所述上部电极连接。所述半导体基板具有形成有开关元件的有源区，所述开关元件能够让电流流过所述上部电极与所述下部电极之间。所述有源区具有位于所述端子的正下方的主要区域、和位于所述主要区域的外部的外部区域。所述外部区域具有低电流区域。在所述低电流区域内的所述开关元件以及所述主要区域内的所述开关元件接通了时，所述低电流区域内的电流密度比所述主要区域内的电流密度低。

技术领域

本说明书公开的技术涉及半导体装置。

背景技术

专利文献1公开的半导体装置具有：半导体基板；上部电极，设置于所述半导体基板的上表面；下部电极，设置于所述半导体基板的下表面；以及端子(铜块)，与所述上部电极连接。半导体基板具有形成有开关元件的有源区，所述开关元件能够让电流流过上部电极与下部电极之间。一般地，有源区仅形成于端子的正下方及其附近。因此，在电流流过开关元件而有源区发热时，通过端子将热从有源区散走。由此，抑制有源区的温度上升。

专利文献1：日本专利申请特开2018-129388号公报

为了扩大有源区，可以在端子的外侧的范围(未被端子覆盖的范围)大范围地设置有源区。然而，如果像这样在端子的外侧的范围大范围地设置有源区，则在该范围产生的热难以传导到端子。因此，在端子的外侧设置的有源区比端子的正下方的有源区的温度高。其结果，存在虽然端子的正下方的有源区(主要区域)未变为很高的温度，但电流无法再流过半导体装置的问题。在本说明书中，提出了一种半导体装置，其在端子的外侧的范围设置有有源区，并能够流过高的电流。

发明内容

本说明书公开的半导体装置具有：半导体基板；上部电极，设置于所述半导体基板的上表面；下部电极，设置于所述半导体基板的下表面；以及端子，与所述上部电极连接。所述半导体基板具有形成有开关元件的有源区，所述开关元件能够让电流流过所述上部电极与所述下部电极之间。所述有源区具有位于所述端子的正下方的主要区域、和位于所述主要区域的外部的外部区域。所述外部区域具有低电流区域。在所述低电流区域内的所述开关元件以及所述主要区域内的所述开关元件接通了时，所述低电流区域内的电流密度比所述主要区域内的电流密度低。

在该构成中，在主要区域内的开关元件以及低电流区域(端子的外侧的区域)内的开关元件同时接通了时，低电流区域内的电流密度比主要区域内的电流密度低。由此，抑制在低电流区域中的发热，抑制低电流区域的温度上升。因此，高的电流都能够流过半导体装置，直至主要区域变为高温。

附图说明

图1是半导体装置的剖视图。

图2是从上观察半导体基板和端子70的俯视图。

图3是主要区域的剖视图。

图4是实施例1的低电流区域的剖视图。

图5是实施例2的低电流区域的剖视图。

图6是实施例3的低电流区域的剖视图。

图7是示出变更了低电流区域的配置的变形例的俯视图。

图8是示出变更了低电流区域的配置的变形例的俯视图。

图9是示出附加了温度传感器的变形例的俯视图。

具体实施方式

[实施例1]

图1示出了实施例1的半导体装置10。如图1所示，半导体装置10具有半导体基板12。另外，在以下的说明中，x方向意味着与半导体基板12平行的一个方向，y方向意味着与半导体基板12平行并与x方向正交的一个方向，z方向意味着与半导体基板12垂直的一个方向。