[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具有：

半导体基板；

上部电极，设置于所述半导体基板的上表面；

下部电极，设置于所述半导体基板的下表面；以及

端子，与所述上部电极连接，

所述半导体基板具有形成有开关元件的有源区，所述开关元件能够让电流流过所述上部电极与所述下部电极之间，

所述有源区具有位于所述端子的正下方的主要区域、和位于所述主要区域的外部的外部区域，

所述外部区域具有低电流区域，

在所述低电流区域内的所述开关元件以及所述主要区域内的所述开关元件接通了时，所述低电流区域内的电流密度比所述主要区域内的电流密度低。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，还具有设置于所述半导体基板的所述上表面且位于所述有源区的外部的信号电极，

在俯视所述半导体基板的所述上表面的状态下，在将从所述主要区域向着所述信号电极的方向作为第一方向并将与所述第一方向正交的方向作为第二方向时，所述低电流区域相对于所述主要区域位于所述第一方向上，并且相对于所述信号电极位于所述第二方向上。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，还具有测量所述主要区域的温度的温度传感器。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的半导体装置，其中，所述有源区内的所述开关元件具有：

n型的第一区域；

p型的主体区域；

n型的第二区域，被所述主体区域从所述第一区域分离；

栅极绝缘膜；以及

栅电极，隔着所述栅极绝缘膜与所述主体区域对置。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

所述低电流区域内的所述主体区域的p型杂质浓度，比所述主要区域内的所述主体区域的p型杂质浓度高。

6.根据权利要求4或5所述的半导体装置，其中，

所述低电流区域内的所述栅极绝缘膜的厚度比所述主要区域内的所述栅极绝缘膜的厚度厚。

7.根据权利要求4至6中任意一项所述的半导体装置，其中，

所述低电流区域内的所述第一区域与所述第二区域之间的间隔，比所述主要区域内的所述第一区域与所述第二区域之间的间隔长。

8.根据权利要求1至7中任意一项所述的半导体装置，其中，

所述半导体基板由SiC构成。