[发明专利]存储器设备及其操作方法、存储器模块及其操作方法在审
| 申请号： | 202010556985.1 | 申请日： | 2020-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN112116934A | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 林璇渶;李栽坤 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10;G11C11/409;G11C11/4096 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 杨姗 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种用于操作非易失性双列直插式存储器模块(NVDIMM)的方法。该NVDIMM包括动态随机存取存储器(DRAM)和非易失性存储器(NVM)设备，该DRAM包括第一输入/输出(I/O)端口和第二I/O端口，并且第二I/O端口连接到NVM设备。该方法包括：接收外部提供的表示读取/写入命令和传输模式的命令信号；根据命令信号的传输模式来驱动复用器，以选择第一I/O端口和第二I/O端口中的至少一个I/O端口；以及根据命令信号的读取/写入命令，使用通过驱动复用器所选择的第一I/O端口和第二I/O端口中的至少一个I/O端口，在DRAM和NVM设备中的至少一个中读取或写入数据。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 设备 及其 操作方法 模块 | ||
【主权项】：
暂无信息
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