[发明专利]存储器设备及其操作方法、存储器模块及其操作方法

权利要求书

1.一种操作非易失性双列直插式存储器模块NVDIMM的方法，所述NVDIMM包括动态随机存取存储器DRAM和非易失性存储器NVM设备，所述DRAM包括第一输入/输出I/O端口和第二I/O端口，所述第二I/O端口连接到所述NVM设备，所述方法包括：

接收外部提供的命令信号，所述命令信号表示读取/写入命令和传输模式；

根据所述命令信号的所述传输模式来驱动复用器，以选择所述第一I/O端口和所述第二I/O端口中的至少一个I/O端口；以及

根据所述命令信号的所述读取/写入命令，使用通过驱动所述复用器所选择的第一I/O端口和第二I/O端口中的至少一个I/O端口，在所述DRAM和所述NVM设备中的至少一个中读取或写入数据。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述复用器位于所述DRAM中，并且驱动所述复用器包括：

根据所述传输模式驱动第一切换设备，以选择性地将在所述第二I/O端口上接收的数据或从所述DRAM读取的数据施加到所述第一I/O端口；以及

根据所述传输模式驱动第二切换设备，以选择性地将在所述第一I/O端口上接收的数据或从所述DRAM接收的数据施加到所述第二I/O端口。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述命令信号还包括所述NVM的地址。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，根据所述命令信号的所述传输模式驱动所述复用器，以选择所述第一I/O端口和所述第二I/O端口两者，并且读取或写入数据包括：同时使用所述第一I/O端口和第二I/O端口两者。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述命令信号包括读取命令或写入命令之一、以及指示所述传输模式的标志信号。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述命令信号是嵌入有所述传输模式的指示的读取命令或写入命令之一。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述外部提供的命令信号用于将数据从所述DRAM冲刷到所述NVM设备。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括：

向所述DRAM发送内部读取命令；

在向所述DRAM发送所述内部读取命令之后一段时间，向所述NVM设备发送内部写入命令；以及

根据所述内部读取命令和所述内部写入命令，通过所述DRAM的所述第二I/O端口将数据从所述DRAM传输到所述NVM设备。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述一段时间与所述DRAM的读取等待时间与所述NVM设备的写入等待时间之差相对应。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，将数据从所述DRAM传输到所述NVM设备包括：

第一写入操作，在所述第一写入操作中，将来自所述DRAM的数据写入所述NVM设备的控制器的缓冲区；以及

第二写入操作，在所述第二写入操作中，将来自所述缓冲区的数据写入所述NVM设备的非易失性存储器单元阵列，

其中，所述写入等待时间是所述第一写入操作的等待时间。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述DRAM是用于所述NVM设备的高速缓存存储器。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述DRAM是多端口DRAM芯片的堆叠，并且所述方法还包括：

根据所述命令信号的所述传输模式来驱动所述复用器，以选择各自不同的多端口DRAM芯片的第一I/O端口和第二I/O端口、或者选择同一多端口DRAM芯片的第一I/O端口和第二I/O端口。