[发明专利]存储器设备及其操作方法、存储器模块及其操作方法在审

专利信息
申请号: 202010556985.1 申请日: 2020-06-17
公开(公告)号: CN112116934A 公开(公告)日: 2020-12-22
发明(设计)人: 林璇渶;李栽坤 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C7/10 分类号: G11C7/10;G11C11/409;G11C11/4096
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 杨姗
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储器 设备 及其 操作方法 模块
【说明书】:

公开了一种用于操作非易失性双列直插式存储器模块(NVDIMM)的方法。该NVDIMM包括动态随机存取存储器(DRAM)和非易失性存储器(NVM)设备,该DRAM包括第一输入/输出(I/O)端口和第二I/O端口,并且第二I/O端口连接到NVM设备。该方法包括:接收外部提供的表示读取/写入命令和传输模式的命令信号;根据命令信号的传输模式来驱动复用器,以选择第一I/O端口和第二I/O端口中的至少一个I/O端口;以及根据命令信号的读取/写入命令,使用通过驱动复用器所选择的第一I/O端口和第二I/O端口中的至少一个I/O端口,在DRAM和NVM设备中的至少一个中读取或写入数据。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年6月20日向美国专利商标局提交的美国临时申请No.62/863,936、于2020年3月17日向美国专利商标局提交的美国专利申请No.16/821,615、以及于2020年1月23日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2020-0009397的优先权,这些申请的公开内容通过全文引用合并于此。

技术领域

本发明构思涉及存储器设备、操作该存储器设备的方法、存储器模块、以及操作该存储器模块的方法,更具体地,涉及包括双端口的存储器设备、操作该存储器设备的方法、存储器模块、以及操作该存储器模块的方法。

背景技术

诸如低功率双倍数据速率同步动态随机存取存储器(LPDDR SDRAM)之类的面向移动的存储器设备已经主要用于诸如智能手机、平板个人计算机(PC)和超级本之类的移动电子设备中。随着移动操作系统(OS)的容量为了支持在移动电子设备中执行的多任务处理而增加,需要具有低功耗和高速操作性能的移动电子设备。

另外,由于诸如闪存之类的非易失性存储器的诸如大容量、低噪声和低功率的优点,非易失性存储器已经广泛地在各个领域中用作存储设备。具体地,基于闪存实现的固态驱动器(SSD)在个人计算机(PC)、膝上型计算机、工作站、服务器系统等中用作大容量存储设备。典型的SSD设备基于串行高级技术附件(SATA)接口或高速外围组件互连(PCI-E)接口连接到计算机系统。然而,近年来,随着计算系统中处理的数据量的增加,由于数据吞吐量相对于连接到SSD设备的接口的数据带宽或通信速度而增加,因此出现了数据瓶颈。这些现象可能会降低计算系统的性能,并且已经开发了用于提高性能的各种技术来解决上述问题。

发明内容

根据本发明构思的一方面,提供了一种操作非易失性双列直插式存储器模块(NVDIMM)的方法。该NVDIMM包括动态随机存取存储器(DRAM)和非易失性存储器(NVM)设备,该DRAM包括第一输入/输出(I/O)端口和第二I/O端口,并且第二I/O端口连接到NVM设备。该方法包括:接收外部提供的命令信号,该命令信号表示读取/写入命令和传输模式;根据命令信号的传输模式来驱动复用器,以选择第一I/O端口和第二I/O端口中的至少一个I/O端口;以及根据命令信号的读取/写入命令,使用通过驱动复用器所选择的第一I/O端口和第二I/O端口中的至少一个I/O端口,在DRAM和NVM设备中的至少一个中读取或写入数据。

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