[发明专利]一种CdSe纳米材料的制备方法在审

专利信息
申请号: 202010551779.1 申请日: 2020-06-17
公开(公告)号: CN111634890A 公开(公告)日: 2020-09-08
发明(设计)人: 甘罗;刘春明 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: C01B19/04 分类号: C01B19/04;C09K11/88;B82Y20/00;B82Y40/00
代理公司: 成都科奥专利事务所(普通合伙) 51101 代理人: 苏亚超
地址: 610000 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种CdSe纳米材料的制备方法,其包括将硒粉加入三正辛基膦加热至100℃通入氮气保护充分反应后冷却至室温,取无色透明液体;取十四烷基磷酸、十八胺、三正辛基氧膦和氧化镉混合,在通氮气的状态下进行加热,达到100℃后抽真空并保持真空状态;再次通入氮气进行加热至330℃维持10分钟后降温至275℃;加入步骤1获得的Se前体并在加入Se前体后的4至80秒内分离取出CdSe。该方法通过控制加入Se前体后取出CdSe量子点的时间来控制其生长,获得了发射波长小于450nm的CdSe量子点。
搜索关键词: 一种 cdse 纳米 材料 制备 方法
【主权项】:
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