[发明专利]一种CdSe纳米材料的制备方法在审

专利信息
申请号: 202010551779.1 申请日: 2020-06-17
公开(公告)号: CN111634890A 公开(公告)日: 2020-09-08
发明(设计)人: 甘罗;刘春明 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: C01B19/04 分类号: C01B19/04;C09K11/88;B82Y20/00;B82Y40/00
代理公司: 成都科奥专利事务所(普通合伙) 51101 代理人: 苏亚超
地址: 610000 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 cdse 纳米 材料 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种CdSe纳米材料的制备方法,其特征在于,包括:

S1.将硒粉加入三正辛基膦加热至100℃通入氮气保护充分反应后冷却至室温,取无色透明液体;

S2.取十四烷基磷酸、十八胺、三正辛基氧膦和氧化镉混合,在通氮气的状态下进行加热,达到100℃后抽真空并保持真空状态;

S3.再次通入氮气进行加热至330℃维持10分钟后降温至275℃;

S4.加入步骤1获得的Se前体并在加入Se前体后的4至80秒内分离取出CdSe。

2.根据权利要求1所述的CdSe纳米材料的制备方法,其特征在于:所述硒粉与三正辛基膦比例为456mg︰10ml。

3.根据权利要求1所述的CdSe纳米材料的制备方法,其特征在于:所述十四烷基磷酸、十八胺、三正辛基氧膦和氧化镉混合质量比为56︰350︰650︰14。

4.根据权利要求1所述的CdSe纳米材料的制备方法,其特征在于:所述分离取出CdSe量子点是将加入Se前体的溶液中加入丙酮,并等待溶液降温后进行离心处理。

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