[发明专利]一种半导体结构有效
| 申请号： | 202010529695.8 | 申请日： | 2020-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN111681687B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 曹开玮;孙鹏;周俊;占琼;黄蔚;侯春源 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C5/02 | 分类号： | G11C5/02;G11C5/06;G11C16/06;G11C16/08;G11C16/30;H10B41/30;H10B41/40;H10B43/30;H10B43/40 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 柳虹 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构，包括存储阵列单元，该存储阵列单元具有衬底、位于衬底上的存储阵列、以及位于存储阵列周边的第一键合区，该第一键合区包括第一衬底引出键合区、第一位线键合区、第一字线键合区以及第一源极线键合区，本发明提供的半导体结构是将外围驱动电路单元设置于存储阵列单元的投影上方，即与存储阵列单元分别设置，在形成存储阵列的存储阵列单元中不再设置外围驱动电路，利用晶圆键合技术将第一键合区与外围驱动电路单元中相对应的第二键合区相键合，实现存储阵列单元中的衬底、多条字线、多条位线以及多条源极线与外围驱动电路单元中相对应的驱动电路电连接，从而使得该半导体结构在垂直方向上呈三维结构，减小了其尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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