[发明专利]一种维持大尺寸碳化硅晶型稳定的装置及生长方法有效
| 申请号： | 202010517206.7 | 申请日： | 2020-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN113122914B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 杨丽雯;何丽娟;靳丽婕;程章勇;韦玉平;李天运;陈颖超;李百泉;张云伟;王丽君 | 申请（专利权）人： | 北京世纪金光半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种稳定大尺寸碳化硅晶型稳定的生长方法。包括（1）生长初期籽晶近生长界面通入保护气体，均匀（0001）小面及小面附近区域的料源饱和度。从而达到避免小面及小面附近台阶宽化的目的。该方法有助于减少异晶型在宽台阶上产生2D成核的可能性，从而提高晶体的稳定性。（2）生长后期在小面附近增加气流的基础上增加籽晶轴向提拉以及旋转，从而达到控制界面形状稳定和维持饱和度均一的两个目标，使得整个生长过程中晶型稳定。该发明的碳化硅单晶生长装置能应用于4‑6英寸及不同切割偏角的籽晶，甚至更大尺寸的晶体生长，大幅度稳定了小面及小面附近晶型的稳定性，得到了高质量的碳化硅单晶晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 维持 尺寸 碳化硅 稳定 装置 生长 方法 | ||
【主权项】：
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