[发明专利]一种维持大尺寸碳化硅晶型稳定的装置及生长方法

权利要求书

1.一种维持大尺寸碳化硅晶型稳定的装置，其特征在于，包括石墨坩埚、嵌套石墨筒、螺纹籽晶托、石墨提拉旋转螺杆、耐高温材料气流导管，其中，所述耐高温材料气流导管穿插在所述嵌套石墨筒侧壁内部，并且伸到籽晶小面位置，嵌套石墨筒与所述石墨坩埚通过螺纹旋转配合在一起，所述螺纹籽晶托通过螺纹与嵌套石墨筒配合在一起，所述石墨提拉旋转螺杆与螺纹籽晶托也通过螺纹配合在一起。

2.根据权利要求1所述的维持大尺寸碳化硅晶型稳定的装置，其特征在于，所述耐高温材料气流导管的材料是碳化钽、碳化锆、碳化钛、碳化铌、碳化锇、碳化钨、碳化钼、碳化钇中的一种。

3.一种使用权利要求1或2所述的维持大尺寸碳化硅晶型稳定的装置生长大尺寸碳化硅晶体的方法，其特征在于，生长恒温初期通过气流导管充入保护气体N2或Ar，流量为600-1000sccm，此时压力控制在100-1000Pa之间，温度控制在2190±5℃，晶体生长4h后直到降温前，降低气流导管的N2或Ar气流量为100-500sccm，同时通过石墨提拉旋转螺杆，使得螺纹籽晶托的上升速度为 60-100μm /h，调整螺杆的转速为7-70r/min。

4.根据权利要求3所述的生长大尺寸碳化硅晶体的方法，其特征在于，耐高温材料气流导管与料源高度在30-40mm之间，使得气流导管与晶体生长面距离维持在10-30mm之间。