[发明专利]一种碳化硅粉料的合成及处理方法

摘要

本申请公开了一种碳化硅粉料合成及处理方法，其特点在于利用组合的隔离层减轻合成中心区域粉料的碳化程度，改善粉料品质均匀性。所述方法包括如下步骤:1.按照合成坩埚内壁的形状，配置相应的柱状的隔离筒和隔离板。在隔离筒的内侧填充碳、硅源混合物等一次碳化硅粉料的合成原料，在隔离筒的外侧即近坩埚一侧填充β‑SiC。在一次合成原料间利用石墨板等创造隔层，进行温区改善。粉料全部填充完成后，抽出隔离筒，装配反应温场，进行合成。2.进行一般的自蔓延合成反应。3.进行工装辅助下的取料操作。相比同类碳化改善的专利方法，本技术方案具备可调整的灵活性、易于实现、效率较高等优点。本发明为一次反应改善粉料合成产量、结晶质量、氮含量方面提供了一种方向。