[发明专利]一种碳化硅粉料的合成及处理方法

权利要求书

1.一种碳化硅粉料的合成及处理方法，其特征在于，具体步骤如下：

（1）、将高纯碳源和高纯硅源按比例均匀配置，获得一次合成原料；（2）、将β-SiC作为隔离层原料；（3）、利用圆柱形隔离筒和片状隔离板进行原料填充，填充完成后，抽出隔离筒，装配反应温场，进行自蔓延或者二次结晶的合成；（4）、反应完成后，利用工装或者其适宜的工装进行隔离层内的取料。

2.如权利要求1所述，所述隔离筒不限于高纯非金属材料，优选高纯石墨纸、高纯石英玻璃管、聚四氟乙管等；所述β-SiC粉料填充层厚度为5-20mm；所述隔离板为高纯石墨材料，隔离板通常为原片，可根据所需合成坩埚尺寸进行形状和数量调整，其厚度优选为3-10mm。

3.如权利要求1所述，当用于粉料二次结晶的处理时，可在隔离板上制造一定粗糙度或者中通孔洞，用于颗粒附着或者气流聚散。

4.如权利要求1所述，所述隔离层一次合成粉料原料不限于硅粉碳粉混合物、碳纤维、硅粉、硅烷、石墨板材等反应源。

5.如权利要求1所述，所述隔离层内一次碳化硅粉料的合成工艺不限于自蔓延合成及二次结晶等合成方法,不限于其余晶型的碳化硅粉料二次烧结的处理过程。