[发明专利]垂直半导体装置及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202010503428.3 申请日: 2020-06-05
公开(公告)号: CN112885836A 公开(公告)日: 2021-06-01
发明(设计)人: 金镇河 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: H01L27/11568 分类号: H01L27/11568;H01L27/11578;H01L27/11582
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 刘久亮;黄纶伟
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 垂直半导体装置及其制造方法。一种半导体装置包括:交替层叠物,其设置在下结构上方并且包括交替地层叠的多个栅电极和多个介电层;存储器层叠结构,其包括延伸以穿透交替层叠物的沟道层以及围绕沟道层的存储器层;源极接触层,其与垂直沟道层的下外壁接触并且设置在下结构和交替层叠物之间;源极接触插塞,其与存储器层叠结构间隔开并且延伸以穿透交替层叠物;以及密封间隔物,其被设置为密封栅电极并且设置在源极接触插塞和栅电极之间,该密封间隔物的抗蚀刻性不同于介电层的抗蚀刻性。
搜索关键词: 垂直 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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