[发明专利]垂直半导体装置及其制造方法在审
申请号: | 202010503428.3 | 申请日: | 2020-06-05 |
公开(公告)号: | CN112885836A | 公开(公告)日: | 2021-06-01 |
发明(设计)人: | 金镇河 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L27/11568 | 分类号: | H01L27/11568;H01L27/11578;H01L27/11582 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 刘久亮;黄纶伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 垂直半导体装置及其制造方法。一种半导体装置包括:交替层叠物,其设置在下结构上方并且包括交替地层叠的多个栅电极和多个介电层;存储器层叠结构,其包括延伸以穿透交替层叠物的沟道层以及围绕沟道层的存储器层;源极接触层,其与垂直沟道层的下外壁接触并且设置在下结构和交替层叠物之间;源极接触插塞,其与存储器层叠结构间隔开并且延伸以穿透交替层叠物;以及密封间隔物,其被设置为密封栅电极并且设置在源极接触插塞和栅电极之间,该密封间隔物的抗蚀刻性不同于介电层的抗蚀刻性。 | ||
搜索关键词: | 垂直 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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