[发明专利]垂直半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，该半导体装置包括：

交替层叠物，该交替层叠物设置在下结构上方并且包括交替地层叠的多个栅电极和多个介电层；

存储器层叠结构，该存储器层叠结构包括延伸以穿透所述交替层叠物的沟道层以及围绕所述沟道层的存储器层；

源极接触层，该源极接触层与垂直沟道层的下外壁接触并设置在所述下结构与所述交替层叠物之间；

源极接触插塞，该源极接触插塞与所述存储器层叠结构间隔开并延伸以穿透所述交替层叠物；以及

密封间隔物，该密封间隔物被设置为密封所述栅电极并设置在所述源极接触插塞与所述栅电极之间，该密封间隔物的抗蚀刻性不同于所述介电层的抗蚀刻性。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述密封间隔物包括抗湿法蚀刻性大于所述介电层的抗湿法蚀刻性的材料。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述密封间隔物包括含碳材料。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述密封间隔物包括含碳氧化硅。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述密封间隔物包括抗湿法蚀刻性大于SiO₂的抗湿法蚀刻性并且介电常数低于氮化硅的介电常数的材料。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述密封间隔物包括SiCO。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述密封间隔物包括SiO₂层和SiCO层的层叠物，并且所述SiCO层与所述源极接触插塞直接接触。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述密封间隔物包括SiCO，并且SiCO的碳含量小于硅含量和氧含量。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述源极接触插塞的外壁由所述密封间隔物围绕，并且

其中，所述密封间隔物在特定方向上延伸以覆盖所述栅电极、所述介电层和所述源极接触层，所述栅电极和所述介电层在所述特定方向上层叠。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述密封间隔物包括在特定方向上延伸以分别密封所述栅电极的一个或更多个端部的一个或更多个突起，所述特定方向垂直于多个所述栅电极和多个所述介电层层叠的方向。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述密封间隔物具有在至范围内的厚度。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，该半导体装置还包括：

在所述交替层叠物与所述源极接触层之间的上源极层；以及

在所述源极接触层与所述下结构之间的下源极层，

其中，所述上源极层和所述下源极层中的每一个包括半导体材料。

13.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述源极接触插塞包括：

含硅材料图案；

设置在所述含硅材料图案上方的含金属材料图案；以及

设置在所述含硅材料图案与所述含金属材料图案之间的屏障材料层。

14.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述密封间隔物包括SiCN、SiBCN或SiBN。

15.根据权利要求1所述的半导体装置，该半导体装置还包括：

在所述交替层叠物与所述源极接触层之间的衬垫层，

其中，所述衬垫层和所述密封间隔物包括相同的材料。

16.根据权利要求15所述的半导体装置，其中，所述衬垫层和所述密封间隔物包括含碳氧化硅。