[发明专利]一种用于原子层沉积系统的平板式放电装置在审
申请号: | 202010502077.4 | 申请日: | 2020-06-04 |
公开(公告)号: | CN113755822A | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
发明(设计)人: | 杨胜;夏洋;屈芙蓉;卢维尔;李楠;刘涛;赵丽莉;何萌 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/505 |
代理公司: | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人: | 房德权 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种用于原子层沉积系统的平板式放电装置,包括:金属壁,金属壁接地,金属壁包括:凹槽,凹槽设置在金属壁的上表面;第一通孔,第一通孔设置在凹槽的中心,且贯穿金属壁;金属板,金属板设置在凹槽内;石英管,石英管的底部固定设置在凹槽内,且石英管位于金属壁与金属板之间;电源接口,电源接口设置在第一通孔内,电源接口一端与射频电源电连接,另一端与金属板电连接;陶瓷件,陶瓷件设置在第一通孔内,且位于电源接口与金属壁之间;其中,陶瓷件与石英管相连接,将金属板与金属壁隔开。解决了现有技术中ALD等离子体发生系统气体离化率低,结构复杂的技术问题,达到了提高气体离化率,结构简单的技术效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 原子 沉积 系统 平板 放电 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所,未经中国科学院微电子研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010502077.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的