[发明专利]一种用于原子层沉积系统的平板式放电装置

说明书

本发明公开了一种用于原子层沉积系统的平板式放电装置，包括：金属壁，金属壁接地，金属壁包括：凹槽，凹槽设置在金属壁的上表面；第一通孔，第一通孔设置在凹槽的中心，且贯穿金属壁；金属板，金属板设置在凹槽内；石英管，石英管的底部固定设置在凹槽内，且石英管位于金属壁与金属板之间；电源接口，电源接口设置在第一通孔内，电源接口一端与射频电源电连接，另一端与金属板电连接；陶瓷件，陶瓷件设置在第一通孔内，且位于电源接口与金属壁之间；其中，陶瓷件与石英管相连接，将金属板与金属壁隔开。解决了现有技术中ALD等离子体发生系统气体离化率低，结构复杂的技术问题，达到了提高气体离化率，结构简单的技术效果。

技术领域

本发明涉及冶金设备技术领域，特别涉及一种用于原子层沉积系统的平板式放电装置。

背景技术

原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD)是在一个加热的反应器中的衬底上方交替引入气相前驱体,通过交替的表面饱和反应进行自限制生长超薄薄膜。等离子体增强原子层沉积(Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition,PEALD)是对ALD技术的扩展,通过等离子体的引入,产生大量活性自由基,增强了前驱体物质的反应活性,从而拓展了ALD对前驱源的选择范围和应用要求，缩短了反应周期的时间,同时也降低了对样品沉积温度的要求,可以实现低温甚至常温沉积,特别适合于对温度敏感材料和柔性材料上的薄膜沉积。另外,等离子体的引入可以进一步的去除薄膜中的杂质,可以获得更低的电阻率和更高的薄膜致密度等。此外,等离子体还可以对反应腔室进行清洗以及对基片进行表面活化处理等。广泛应用于半导体集成电路、微机械系统、太阳能、光学、工业催化、食品、医疗等领域。

但本申请发明人发现上述现有技术至少存在如下技术问题：

传统的ALD等离子体发生系统采用射频感应耦合放电的方式，气体离化率较低，而且其结构较为复杂。

发明内容

本发明提供了一种用于原子层沉积系统的平板式放电装置，解决了现有技术中ALD等离子体发生系统气体离化率低，结构复杂的技术问题，达到了提高气体离化率，结构简单的技术效果。

为解决上述问题，本发明实施例提供了一种用于原子层沉积系统的平板式放电装置，所述平板式放电装置包括：金属壁，所述金属壁接地，所述金属壁包括：凹槽，所述凹槽设置在所述金属壁的上表面；第一通孔，所述第一通孔设置在所述凹槽的中心，且贯穿所述金属壁；金属板，所述金属板设置在所述凹槽内；石英管，所述石英管的底部固定设置在所述凹槽内，且所述石英管位于所述金属壁与所述金属板之间；电源接口，所述电源接口设置在所述第一通孔内，所述电源接口一端与射频电源电连接，另一端与所述金属板电连接；陶瓷件，所述陶瓷件设置在所述第一通孔内，且位于所述电源接口与所述金属壁之间；其中，所述陶瓷件与所述石英管相连接，将所述金属板与所述金属壁隔开。

优选的，所述平板式放电装置还包括：M个进气孔，M个所述进气孔均匀设置在所述金属板上，M为正整数；第一进气端，所述第一进气端设置在所述金属壁的侧壁上，所述第一进气端通过第一管道与所述进气孔连通。。

优选的，所述平板式放电装置还包括：M个绝缘柱，所述绝缘柱固定设置在所述进气孔内，且M个绝缘柱与M个所述进气孔一一对应。

优选的，所述平板式放电装置还包括：加热装置，所述加热装置设置在所述金属壁的下部；加热管，所述加热管设置在所述石英管的四周，且所述加热管与所述加热装置连接。

优选的，所述金属板通过螺栓固定在所述电源接口上，且与所述电源接口电连接；其中，所述螺栓的材质为金属。

优选的，所述石英管的高度为50mm-150mm。

优选的，所述石英管的高度为110mm。

优选的，所述平板式放电装置还包括：金属密封，所述金属密封设置在所述射频电源接口与所述金属壁之间。