[发明专利]氮化物半导体发光元件在审
| 申请号： | 202010498070.X | 申请日： | 2020-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN112054101A | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 松仓勇介;希利尔·贝诺 | 申请（专利权）人： | 日机装株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 徐谦;刘宁军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供提高了光输出的氮化物半导体发光元件。一种氮化物半导体发光元件，具备由n型AlGaN形成的n型包覆层和位于n型包覆层上的由AlGaN形成的活性层，在活性层内，存在n型包覆层和活性层被层叠的方向上的Si的浓度分布的局部性的峰。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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