[发明专利]氮化物半导体发光元件

说明书

提供提高了光输出的氮化物半导体发光元件。一种氮化物半导体发光元件，具备由n型AlGaN形成的n型包覆层和位于n型包覆层上的由AlGaN形成的活性层，在活性层内，存在n型包覆层和活性层被层叠的方向上的Si的浓度分布的局部性的峰。

技术领域

本发明涉及氮化物半导体发光元件。

背景技术

近年来，输出蓝色光的发光二极管、激光二极管等氮化物半导体发光元件已实用化，为了提高光输出，进行了各种搭配(例如，参照专利文献1)。

专利文献1所记载的发光元件是在AlN系III族氮化物单晶上形成的发光波长为300nm以下的发光元件，其特征在于，具有：高浓度n型III族氮化物层；多量子阱结构，其包括n型或者i型的III族氮化物势垒层及n型或者i型的III族氮化物阱层；i型的III族氮化物最终阻隔层；p型III族氮化物层；以及电子阻挡层，其包括p型或者i型的AlN层，形成在上述i型III族氮化物最终阻隔层与上述p型III族氮化物层之间，对于上述i型III族氮化物最终阻隔层，上述电子阻挡层成为电子能量势垒，上述i型III族氮化物最终阻隔层的厚度设为2nm至10nm，上述n型或者i型的III族氮化物阱层的厚度设为2nm以下。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特许第5641173号公报

发明内容

发明要解决的问题

根据专利文献1所记载的方法，通过调整i型的III族氮化物阱层和i型III族氮化物最终阻隔层的膜厚，提高了发光效率。然而，在III族氮化物半导体中，即使采取了上述这样的对策，为了得到充分的光输出，仍有改善的余地。在此背景下，本发明的发明人们针对提高III族氮化物半导体中的光输出进行了锐意研究，完成了本发明。

即，本发明的目的在于，提供提高了光输出的氮化物半导体发光元件。

用于解决问题的方案

本发明以解决上述问题为目的，提供一种氮化物半导体发光元件，其具备：n型包覆层，其由n型AlGaN形成；以及活性层，其由AlGaN形成，位于上述n型包覆层上，在上述活性层内，存在上述n型包覆层和活性层被层叠的方向上的Si的浓度分布的局部性的峰。

发明效果

根据本发明，能够提供提高了光输出的氮化物半导体发光元件。

附图说明

图1是概略性地示出本发明的第1实施方式所涉及的氮化物半导体发光元件的构成的一例的截面图。

图2是图1所示的氮化物半导体发光元件的截面的一部分的STEM图像的图。

图3是示出图1所示的氮化物半导体发光元件的厚度方向上的Si的浓度分布图和Al的离子强度分布图的图。

图4是示出对图1所示的氮化物半导体发光元件的光输出进行测定的结果的图，(a)是以坐标图示出了光输出与Si浓度的关系的图，(b)是示出光输出与Si浓度的关系的表格。

图5是概略性地示出本发明的第2实施方式所涉及的氮化物半导体发光元件的构成的一例的截面图。

图6是图5所示的氮化物半导体发光元件的截面的一部分的STEM图像的图。

图7是示出图5所示的氮化物半导体发光元件的厚度方向上的Si的浓度分布图和Al的离子强度分布图的图。