[发明专利]氮化物半导体发光元件

权利要求书

1.一种氮化物半导体发光元件，其特征在于，具备：

n型包覆层，其由n型AlGaN形成；以及

活性层，其由AlGaN形成，位于上述n型包覆层上，

在上述活性层内，存在上述n型包覆层和上述活性层被层叠的方向上的Si的浓度分布的局部性的峰。

2.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，

上述活性层具有单量子阱结构，该单量子阱结构包括：1个势垒层，其由AlGaN形成，位于上述n型包覆层侧；以及1个阱层，其由具有比形成该1个势垒层的AlGaN的Al组分比小的Al组分比的AlGaN形成，

上述Si的浓度分布在上述1个阱层内具有上述峰。

3.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，

上述活性层具备多个势垒层，该多个势垒层包含：第1势垒层，其由具有从上述n型包覆层侧朝向上述活性层侧倾斜的Al组分比的AlGaN形成；以及第2势垒层，其由AlN形成，设置在上述第1势垒层上，

上述Si的浓度分布在上述多个势垒层内具有上述峰。

4.根据权利要求3所述的氮化物半导体发光元件，

上述多个势垒层还具备形成在上述第2势垒层上的第3势垒层，

上述Si的浓度分布在上述第2势垒层和上述第3势垒层的边界的附近具有上述峰。

5.根据权利要求4所述的氮化物半导体发光元件，

上述活性层还具备形成在上述第3势垒层上的1个阱层，

上述1个阱层具有3.0nm以上的厚度。

6.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，

上述活性层具有将多个势垒层与多个阱层交替地层叠而成的多量子阱结构，

上述Si的浓度分布在上述多个阱层中的位于上述n型包覆层侧的下侧阱层内具有上述峰。

7.根据权利要求6所述的氮化物半导体发光元件，

在上述n型包覆层与上述活性层之间，还具备由具有从上述n型包覆层侧朝向上述活性层侧倾斜的Al组分比的AlGaN形成的第1势垒层，

上述第1势垒层的厚度是上述多个势垒层中的任意一个势垒层或者上述多个阱层中的任意一个阱层的厚度的3～5倍。

8.根据权利要求6或7所述的氮化物半导体发光元件，

上述多个阱层具备上述下侧阱层和位于比该下侧阱层靠与上述n型包覆层相反的一侧的位置的上侧阱层，

上述下侧阱层具有3.0nm以上的厚度，并且具有上述上侧阱层的厚度的1.5倍～2.5倍的厚度。

9.根据权利要求1至8中的任意一项所述的氮化物半导体发光元件，

上述Si的浓度的上述峰的值为1.0×10¹⁸个/cm³以上1.0×10²⁰个/cm³以下。

10.根据权利要求1至9中的任意一项所述的氮化物半导体发光元件，

还具备位于上述n型包覆层之下并具有由AlN形成的表面的基板。

11.根据权利要求1至5中的任意一项所述的氮化物半导体发光元件，

发出中心波长为295nm至360nm的深紫外光。

12.根据权利要求6至10中的任意一项所述的氮化物半导体发光元件，

发出中心波长为250nm至295nm的深紫外光。