[发明专利]利用磁控溅射技术制备Mo-S-C-N自组装纳米多层薄膜的方法在审
| 申请号： | 202010493954.6 | 申请日： | 2020-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN111455316A | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 王鹏;赵晓宇;乔丽;段泽文;张贝贝 | 申请（专利权）人： | 中国科学院兰州化学物理研究所 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/02;C23C14/16;C23C14/35 |
| 代理公司： | 兰州智和专利代理事务所(普通合伙) 62201 | 代理人： | 张英荷 |
| 地址： | 730000 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种利用磁控溅射技术制备Mo‑S‑C‑N自组装纳米多层薄膜的方法，是将基材清洗、氮气吹干后放入磁控溅射腔体；抽真空并用高能Ar |
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| 搜索关键词： | 利用 磁控溅射 技术 制备 mo 组装 纳米 多层 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
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