[发明专利]利用磁控溅射技术制备Mo-S-C-N自组装纳米多层薄膜的方法

权利要求书

1.利用磁控溅射技术制备Mo-S-C-N自组装纳米多层薄膜的方法，包括以下工艺步骤：

（1）将基材清洗、氮气吹干后放入磁控溅射腔体；抽真空，同时将基材加热到100~200℃并保持至制备过程结束；当腔体内压强达到1.0×10^-3Pa后通入高纯氩气，调节氩气流量至20~40sccm，腔体压强至2.0~5.0 Pa，进行偏压清洗以除去基材表面的氧化物和杂质；

（2）调节腔体压强至0.40~1.0 Pa，偏压至-50~-150 V，打开直流电源溅射Ti靶材沉积Ti中间层；

（3）同时引入氩气和氮气作为工作气体，设置氩气和氮气流量分别为20~40 sccm和1~2sccm，固定氩气和氮气流量比为20:1，开启射频电源溅射二硫化钼和碳靶材，得到Mo-S-C-N自组装纳米多层薄膜。

2.如权利要求1所述一种利用磁控溅射技术制备Mo-S-C-N自组装纳米多层薄膜的方法，其特征在于：步骤（1）中，所述基材为单晶硅片或不锈钢。

3.如权利要求1所述一种利用磁控溅射技术制备Mo-S-C-N自组装纳米多层薄膜的方法，其特征在于：步骤（1）中，所述基材的清洗时将基材依次放入丙酮、无水乙醇中，分别超声清洗10~20分钟。

4.如权利要求1所述一种利用磁控溅射技术制备Mo-S-C-N自组装纳米多层薄膜的方法，其特征在于：步骤（1）中，偏压参数设置为-300~-500 V，频率2~10kHz，占空比20~50%，清洗时间10~20分钟。

5.如权利要求1所述一种利用磁控溅射技术制备Mo-S-C-N自组装纳米多层薄膜的方法，其特征在于：步骤（2）中，直流电源电流设置为0.5~1.0A，沉积时间为10~30分钟，得到沉积100~300nm厚的Ti中间层。

6.如权利要求1所述一种利用磁控溅射技术制备Mo-S-C-N自组装纳米多层薄膜的方法，其特征在于：步骤（3）中，二硫化钼和碳靶材的溅射功率分别为200~300W和100~350 W，沉积时间为30~180分钟。