[发明专利]材料生长速率测量方法有效
| 申请号： | 202010482034.4 | 申请日： | 2020-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN111653324B | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 金鹏;王占国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G16C60/00 | 分类号： | G16C60/00;G06F17/15;G06F17/13;C23C14/54;C23C16/52 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供了一种材料生长速率测量方法，具体针对由两种材料交替生长构成的多量子阱或超晶格结构，能同时测量组成两种材料不同组分的生长速率的方法，或能同时测量两种材料的各自生长速率的方法。本公开采用多个在相同生长速率下制备的样品，结合X射线衍射(XRD)或透射电子显微镜等测量，构建函数计算得到材料的生长速率，使得对于厚度很薄的薄膜的材料生长速率的测量更加精确。 | ||
| 搜索关键词： | 材料 生长 速率 测量方法 | ||
【主权项】：
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