[发明专利]材料生长速率测量方法

权利要求书

1.一种材料生长速率测量方法，包括：

步骤1，制备n个样品，其中，n≥2；所述样品同一周期中的两层材料分别为材料AC和材料A_wB_1-wC，材料A_wB_1-wC中组分材料包括材料AC和材料BC，材料AC和材料A_wB_1-wC具有共同的组成材料AC；

步骤2，采用X射线衍射或透射电子显微镜测量材料AC和材料A_wB_1-wC组成的量子阱或超晶格的周期d_i，其中，i＝1,2,…,n；

步骤3，构建函数，计算材料A_wB_1-wC、材料AC和材料BC的生长速率；

其中，所述步骤3包括：

子步骤31，假定材料AC和材料BC的生长速率分别由A和B的束流决定，则材料AC和材料BC生长速率为：

μ_AC＝af_A(1.1)μ_BC＝bf_B(1.2)

其中，f_A和f_B分别为原子束或分子束A和B的束流；a和b分别为材料AC和材料BC的生长速率μ_AC和μ_BC与束流f_A和f_B之间的比例系数；

则材料A_wB_1-wC的生长速率为：

μ_ABC＝af_A+bf_B(1.3)

子步骤32，步骤2中n个样品中量子阱或超晶格的周期d_i为

d_i＝μ_ACt_1i+μ_ABCt_2i(1.4)

其中，t_1i为材料AC的生长时间，t_2i为材料A_wB_1-wC的生长时间，生长时间t_1i和t_2i为材料生长的参数；

将式(1.1)和(1.3)带入到(1.4)中，得

d_i＝af_A(t_1i+t_2i)+bf_Bt_2i(1.5)

令

x_i＝f_A(t_1i+t_2i)(1.6)

y_i＝f_Bt_2i(1.7)

式(1.5)可写为

d_i＝ax_i+by_i(1.8)

子步骤33，构建函数

求得比例系数a、b；

将比例系数a、b代入(1.1)至(1.3)，得到材料AC的生长速率μ_AC、材料BC的生长速率μ_BC和材料A_wB_1-wC的生长速率μ_ABC；

所述子步骤33包括：

子分步骤331，分别对(1.9)做a和b的偏微分，并使其等于0，得到

整理得

子分步骤332，解(1.11)方程，得

子分步骤333，实验标准差为

子分步骤334，将式(1.12)代入到式(1.1)-(1.3)中，得到材料AC的生长速率μ_AC、材料BC的生长速率μ_BC和材料A_wB_1-wC的生长速率μ_ABC为

2.根据权利要求1所述的材料生长速率测量方法，其中，所述样品的重复周期个数至少为2个。