[发明专利]一种Fin沟道结构SiC场效应晶体管器件在审
| 申请号： | 202010472711.4 | 申请日： | 2020-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN111627987A | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 倪炜江;徐妙玲;李明山;李百泉;李天运;孙安信 | 申请（专利权）人： | 东莞南方半导体科技有限公司;北京世纪金光半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京邦创至诚知识产权代理事务所(普通合伙) 11717 | 代理人： | 张宇锋 |
| 地址： | 523808 广东省东莞*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种Fin沟道结构SiC场效应晶体管器件，该器件从下到上依次为包括n+SiC衬底，n‑漂移层，p阱区，p+区，n+区，以及在器件表面上的栅介质，栅极、源极和底部的漏极，在器件的沟道部分设置有周期性排列的台面，形成Fin台面结构；此外，在所述台面上、台面下以及台面的两个侧壁均设置MOS沟道。本发明通过设置Fin台面结构，使SiC场效应晶体管的沟道密度显著增加，即在保持原胞尺寸和原胞密度不变的前提下，单位芯片面积的沟道宽度显著增加，有效降低了器件的沟道电阻。使整个器件的导通电阻可以得到很大的减少。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 fin 沟道 结构 sic 场效应 晶体管 器件 | ||
【主权项】：
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