[发明专利]一种Fin沟道结构SiC场效应晶体管器件在审
| 申请号： | 202010472711.4 | 申请日： | 2020-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN111627987A | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 倪炜江;徐妙玲;李明山;李百泉;李天运;孙安信 | 申请（专利权）人： | 东莞南方半导体科技有限公司;北京世纪金光半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京邦创至诚知识产权代理事务所(普通合伙) 11717 | 代理人： | 张宇锋 |
| 地址： | 523808 广东省东莞*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 fin 沟道 结构 sic 场效应 晶体管 器件 | ||
1.一种Fin沟道结构SiC场效应晶体管器件，该器件从下到上依次为包括n+SiC衬底，n-漂移层，p阱区，p+区，n+区，以及在器件表面上的栅介质，栅极、源极和底部的漏极，其特征在于，在器件的沟道部分设置有周期性排列的台面，形成Fin台面结构；此外，在所述台面上、台面下以及台面的两个侧壁均设置MOS沟道。
2.根据权利要求1所述的Fin沟道结构SiC场效应晶体管器件，其特征在于，所述Fin台面结构仅设置在器件的源和沟道区。
3.根据权利要求1所述的Fin沟道结构SiC场效应晶体管器件，其特征在于，所述Fin台面结构设置在器件的源、沟道和JFET区的整个原胞内。
4.根据权利要求1所述的Fin沟道结构SiC场效应晶体管器件，其特征在于，所述Fin台面结构由等离子体刻蚀形成。
5.根据权利要求1所述的Fin沟道结构SiC场效应晶体管器件，其特征在于，所述Fin台面结构的深度小于所述n+区和所述p+区的深度。
6.根据权利要求1所述的Fin沟道结构SiC场效应晶体管器件，其特征在于，所述p阱区从上至所述Fin沟道结构的底部位置的掺杂浓度为1e15-5e17cm-3之间。
7.根据权利要求1所述的Fin沟道结构SiC场效应晶体管器件，其特征在于，所述p阱区的底部的掺杂浓度大于1e18cm-3。
8.根据权利要求1所述的Fin沟道结构SiC场效应晶体管器件，其特征在于，所述p+区的深度大于等于所述n+区的深度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东莞南方半导体科技有限公司;北京世纪金光半导体有限公司，未经东莞南方半导体科技有限公司;北京世纪金光半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010472711.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
