[发明专利]处理工件的方法和处理工件的系统在审
| 申请号： | 202010469579.1 | 申请日： | 2020-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN112017995A | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 星野仁志;扎米米尔·阿吉罗夫;汤平泰吉;卡尔·海因兹·普里瓦瑟 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/78;B23K26/122;B23K26/352;B23K26/70 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 王皓 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种处理工件的方法和处理工件的系统。该工件(2、102)具有第一表面(4、104)、与第一表面(4、104)相对的第二表面(6、106)、和在第一表面与第二表面之间延伸的第三表面(8、108)。该方法包括在工件(2、102)内侧形成修改区域(16)，以便在工件(2、102)中创建开口(18)。开口(18)延伸至第一表面、第二表面和第三表面的至少一个。该方法还包括，在工件(2、102)内侧形成修改区域(16)之后，将液体介质(20、120)引入到至少一些开口(18)中；以及在将液体介质(20、120)引入到至少一些开口(18)中之后，将外部刺激施用至液体介质(20、120)，以便增加介质(20、120)的体积。本发明还涉及用于执行该方法的工件处理系统。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 工件 方法 系统 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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