[发明专利]处理工件的方法和处理工件的系统

说明书

本发明涉及一种处理工件的方法和处理工件的系统。该工件(2、102)具有第一表面(4、104)、与第一表面(4、104)相对的第二表面(6、106)、和在第一表面与第二表面之间延伸的第三表面(8、108)。该方法包括在工件(2、102)内侧形成修改区域(16)，以便在工件(2、102)中创建开口(18)。开口(18)延伸至第一表面、第二表面和第三表面的至少一个。该方法还包括，在工件(2、102)内侧形成修改区域(16)之后，将液体介质(20、120)引入到至少一些开口(18)中；以及在将液体介质(20、120)引入到至少一些开口(18)中之后，将外部刺激施用至液体介质(20、120)，以便增加介质(20、120)的体积。本发明还涉及用于执行该方法的工件处理系统。

相关申请的交叉引用

本申请请求于2019年5月31日递交德国专利商标局的10 2019 207 990.3号德国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明涉及一种处理诸如晶圆、基板或铸件的工件的方法，该工件具有第一表面、与该第一表面相对的第二表面、以及在该第一表面和该第二表面之间延伸的第三表面。此外，本发明涉及一种用于执行该方法的系统。

背景技术

在基板、诸如晶圆、例如半导体晶圆上，通过在基板的前表面上设置设备层来形成诸如集成电路(intergrated circuits,ICs)、大规模集成(large scale integrations,LSIs)和发光二极管(light emitting diodes,LEDs)的设备。该基板可以为由例如碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)、或硅(Si)等制成的晶圆。该设备可以为例如半导体设备、光学设备或电力组件。

例如，在光学设备制造过程中，例如由n型氮化物半导体层和p型氮化物半导体层组成的光学设备层形成在诸如碳化硅基板、氮化镓基板或蓝宝石基板的单晶基板的前表面上。光学设备层由交叉分划线(crossing division line)(也称为“街道(street)”)分割(partition)，以限定分离区域(separate region)，在该分离区域中分别形成有光学设备，诸如发光二极管和激光二极管。通过在单晶基板的前侧上设置光学设备层，形成了光学设备晶圆。光学设备晶圆沿分划线分离、例如切割，以划分(divide)在其中形成光学设备的分离区域，从而获得作为芯片(chip)或裸片(dies)的单独的光学设备。

照惯例，这样的光学设备晶圆或其他类型的晶圆，例如通过机械刀片切割、激光烧蚀切割、隐形激光切割或等离子体切割而被划分成单独的芯片或裸片。

隐形激光切割、即通过施用激光束在晶圆内形成修改区域(modified region)，允许分划线宽度减小，使得可以从晶圆获得的芯片或裸片的数量增加。然而，在已知的方法中，存在的问题在于，在切割过程中，一些芯片或裸片可能至少没有彼此完全(fully)分离。对于具有小尺寸的芯片或裸片的情况，这个问题尤为显著。如果使用额外的破碎工具来确保芯片或裸片完整(complete)分离，则晶圆会承受增加的机械应力，导致可能损坏芯片或裸片。

待在其上形成设备层的诸如晶圆的基板，通常通过切割诸如铸件的工件来获得。当切割工件时，可能会发生与以上对于切割诸如晶圆的基板的情况识别的那些问题类似的问题。特别地，在切割过程中，存在基板可能无法与工件的剩余物恰当地分离和/或基板受损的风险。

因此，仍然需要处理诸如晶圆、基板或铸件的工件的方法，该方法允许以有效且可靠的方式处理工件，并且仍然需要用于执行这样的方法的系统。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供一种处理诸如晶圆、基板或铸件的工件的方法，该方法允许以有效且可靠的方式来处理工件。此外，本发明目的在于提供一种用于执行该方法的工件处理系统。这些目标通过具有权利要求1的技术特征的工件处理方法、以及具有权利要求12的技术特征的工件处理系统来实现。本发明的优选实施方案从从属权利要求得出。