[发明专利]处理工件的方法和处理工件的系统在审
申请号: | 202010469579.1 | 申请日: | 2020-05-28 |
公开(公告)号: | CN112017995A | 公开(公告)日: | 2020-12-01 |
发明(设计)人: | 星野仁志;扎米米尔·阿吉罗夫;汤平泰吉;卡尔·海因兹·普里瓦瑟 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/78;B23K26/122;B23K26/352;B23K26/70 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 王皓 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 工件 方法 系统 | ||
1.一种处理工件(2、102)的方法,所述工件(2、102)具有第一表面(4、104)、与所述第一表面(4、104)相对的第二表面(6、106)、和在所述第一表面(4、104)与所述第二表面(6、106)之间延伸的第三表面(8、108),其中,所述方法包括:
在所述工件(2、102)内侧形成修改区域(16),以便在所述工件(2、102)中创建开口(18),所述开口(18)延伸至所述第一表面(4、104)、所述第二表面(6、106)和所述第三表面(8、108)的至少一个;
在所述工件(2、102)内侧形成所述修改区域(16)之后,将液体介质(20、120)引入到至少一些所述开口(18)中;以及
在将所述液体介质(20、120)引入到所述至少一些所述开口(18)中之后,将外部刺激施用至所述液体介质(20、120),以便增加所述介质(20、120)的体积。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,在所述工件(2、102)内侧形成所述修改区域(16)包括将激光束(LB)施用至所述工件(2、102),或由将激光束(LB)施用至所述工件(2、102)组成。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,所述工件(2、102)由对所述激光束(LB)透明的材料制成;并且在所述激光束(LB)的焦点位于所述工件(2、102)内侧的情况下,或者在所述激光束(LB)的所述焦点位于所述第一表面(4、104)上、所述第二表面(6、106)上、或所述第三表面(8、108)上的情况下,将所述激光束(LB)施用至所述工件(2、102)。
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,将所述外部刺激施用至所述液体介质(20、120)包括加热所述液体介质(20、120)或冷却所述液体介质(20、120),或由加热所述液体介质(20、120)或冷却所述液体介质(20、120)组成。
5.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,将所述外部刺激施用至所述液体介质(20、120)包括将电场和/或磁场施用至所述液体介质(20、120),或由将电场和/或磁场施用至所述液体介质(20、120)组成。
6.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,将所述外部刺激施用至所述液体介质(20、120)诱导所述液体介质(20、120)的相变,以便增加所述介质(20、120)的体积。
7.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,所述开口(18)是所述工件中的裂纹。
8.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,通过将所述液体介质(20、120)或所述液体介质(20、120)的蒸汽施用至所述开口(18)延伸到的所述第一表面(4、104)、所述第二表面(6、106)和所述第三表面(8、108)的至少一个,来将所述液体介质(20、120)引入到所述至少一些所述开口(18)中,使得至少一部分所述液体介质(20、120)至少部分地进入到所述开口(18)中。
9.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,所述液体介质(20、120)是水。
10.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,所述液体介质(20、120)包含表面活性剂。
11.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,所述修改区域(16)包括无定型区域或形成有裂纹的区域、或者是无定型区域或形成有裂纹的区域。
12.一种处理工件(2、102)的系统,所述工件(2、102)具有第一表面(4、104)、与所述第一表面(4、104)相对的第二表面(6、106)、和在所述第一表面(4、104)与所述第二表面(6、106)之间延伸的第三表面(8、108),其中,所述系统包括:
修改区域形成装置,其配置为在所述工件(2、102)内侧形成修改区域(16),以便在所述工件(2、102)中创建开口(18),所述开口(18)延伸至所述第一表面(4、104)、所述第二表面(6、106)和所述第三表面(8、108)的至少一个;
液体介质供应装置,其配置为将液体介质(20、120)引入到至少一些所述开口(18)中;以及
外部刺激施用装置,其配置为将外部刺激施用至被引入到所述至少一些所述开口(18)中的所述液体介质(20、120),以便增加所述介质(20、120)的体积。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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