[发明专利]P型MOSFET及其制造方法有效
| 申请号： | 202010466287.2 | 申请日： | 2020-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN111584636B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 李中华;王海涛 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/36;H01L29/167;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种P型MOSFET，沟道区由被栅极结构覆盖的N阱组成，N阱包括由第一至第四注入区组成的叠加区且叠加区经过退火处理；第一至四注入区的注入杂质分别为磷、锗、氙和砷且结深依次减小；第四注入区的掺杂浓度用于调节阈值电压，第四注入区的离子注入工艺在第二和第三注入区的离子注入工艺完成之后进行，第二和第三注入区在半导体衬底中形成非晶化层以使第四注入区砷注入均匀；第二注入区的锗杂质用于向沟道区中提供压应力；第三注入区的氙杂质用于阻挡锗杂质扩散到第四注入区中，以降低由锗扩散引起的缺陷。本发明还公开了一种P型MOSFET的制造方法。本发明能降低阈值电压的局部波动，还能同时提高沟道载流子迁移率，提高器件性能和产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | mosfet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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