[发明专利]P型MOSFET及其制造方法

权利要求书

1.一种P型MOSFET，其特征在于：沟道区由被栅极结构覆盖的N阱组成，所述N阱包括由形成于半导体衬底中的第一注入区、第二注入区、第三注入区和第四注入区组成的叠加区且所述叠加区经过退火处理；

所述第一注入区的注入杂质为磷；

所述第二注入区的注入杂质为锗；

所述第三注入区的注入杂质为氙；

所述第四注入区的注入杂质为砷；

所述第一注入区的结深大于第二注入区的结深，所述第二注入区的结深大于所述第三注入区的结深，所述第三注入区的结深大于所述第四注入区的结深；

所述第四注入区的掺杂浓度用于调节阈值电压，所述第四注入区的离子注入工艺在所述第二注入区的离子注入工艺和所述第三注入区的离子注入工艺完成之后进行，在所述第四注入区的离子注入之前，所述第二注入区和所述第三注入区在所述半导体衬底中形成非晶化层，所述非晶化层使所述第四注入区形成均匀的砷注入，以降低阈值电压的波动；

所述第二注入区的锗杂质用于向所述沟道区中提供压应力，以提高所述沟道区中的空穴载流子的迁移率；

所述第三注入区的氙杂质用于阻挡所述第三注入区底部的所述第二注入区的锗杂质扩散到所述第四注入区中，以降低由锗扩散引起的缺陷。

2.如权利要求1所述的P型MOSFET，其特征在于：所述半导体衬底包括硅衬底。

3.如权利要求1所述的P型MOSFET，其特征在于：在所述半导体衬底上形成有场氧化层，由所述场氧化层隔离出有源区，P型MOSFET形成于所述有源区中。

4.如权利要求1所述的P型MOSFET，其特征在于：在所述半导体衬底上形成有N型深阱，所述N阱形成于所述N型深阱中。

5.如权利要求2所述的P型MOSFET，其特征在于：在所述栅极结构两侧的所述半导体衬底中形成有漏区和源区。

6.如权利要求2所述的P型MOSFET，其特征在于：所述栅极结构包括一层叠加的栅介质层和栅极导电材料层。

7.如权利要求6所述的P型MOSFET，其特征在于：所述栅介质层的材料包括氧化硅、氮氧化硅或高介电常数材料；

所述栅极导电材料层为多晶硅栅或者为金属栅。

8.如权利要求7所述的P型MOSFET，其特征在于：所述高介电常数材料包括二氧化铪。

9.如权利要求1所述的P型MOSFET，其特征在于：

所述第一注入区的离子注入的注入能量为100KeV～300KeV，注入剂量为1×10¹³cm^-2～1×10¹⁴cm^-2；

所述第二注入区的离子注入的注入能量为10KeV～100KeV，注入剂量为1×10¹⁴cm^-2～1×10¹⁶cm^-2；

所述第三注入区的离子注入的注入能量为1KeV～100KeV，注入剂量为1×10¹⁴cm^-2～1×10¹⁶cm^-2；

所述第四注入区的离子注入的注入能量为1KeV～80KeV，注入剂量为1×10¹²cm^-2～1*10¹⁴cm^-2。

10.如权利要求9所述的P型MOSFET，其特征在于：所述叠加区经过退火处理的温度为1000℃～1300℃。