[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202010462021.0 | 申请日： | 2020-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN111599808A | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 夏目秀隆;田矢真敏;金起準;崔助凤 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 朱艳 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种能够抑制阈值电压降低的半导体装置及其制造方法。一种半导体装置，其设有极性相同的第一MOS晶体管(HVNMOS)和第二MOS晶体管(LVNMOS)，第一MOS晶体管包括多晶硅的栅极电极，第一MOS晶体管的栅极电极具有以使从栅极宽度W的端部通过的层叠方向的延长线通过的方式与各端部对应地设置的第一区域和第一区域以外的第二区域，第二区域被掺入极性与源漏电极相同的杂质，第一区域被掺入极性与第二区域的杂质相反的杂质，第二MOS晶体管包括被掺入了极性与源漏电极相同的杂质的多晶硅的栅极电极，第二区域的杂质的浓度比第二MOS晶体管的栅极电极的杂质的浓度低。本发明起到能够抑制阈值电压降低效果。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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