[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其设置有极性相同的第一MOS晶体管和第二MOS晶体管，所述半导体装置的特征在于：

所述第一MOS晶体管包括多晶硅的栅极电极、以及源漏电极；

所述第一MOS晶体管的栅极电极包括第一区域以及所述第一区域以外的第二区域，所述第一区域设置于栅极电极宽度的端部通过层叠方向的延长线上，所述第一区域与所述栅极电极宽度的各端部对应设置，所述第二区域的极性与所述源漏电极的极性相同，所述第一区域的极性不同于所述第二区域的极性；

所述第二MOS晶体管包括极性相同的多晶硅的栅极电极与源漏电极，所述第二MOS晶体管的栅极电极的杂质浓度高于所述第二区域的杂质浓度。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述第一MOS晶体管是高电压MOS构造，所述第二MOS晶体管是低电压MOS构造。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：

所述第一MOS晶体管及所述第二MOS晶体管是N型MOS构造。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述第一MOS晶体管为非耦合构造。

5.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，其至少包括以下步骤：

制备第一MOS晶体管，所述第一MOS晶体管包括多晶硅的栅极电极、以及源漏电极；所述第一MOS晶体管的栅极电极包括第一区域以及所述第一区域以外的第二区域，所述第一区域设置于栅极电极宽度的端部通过层叠方向的延长线上，所述第一区域与所述栅极电极宽度的各端部对应设置，所述第二区域的极性与所述源漏电极的极性相同，所述第一区域的极性不同于所述第二区域的极性；

制备与所述第一MOS晶体管极性相同的第二MOS晶体管，所述第二MOS晶体管包括极性相同的多晶硅的栅极电极与源漏电极，所述第二MOS晶体管的栅极电极的杂质浓度高于所述第二区域的杂质浓度。

6.根据权利要求5所述半导体装置的制造方法，其特征在于，所述方法还包括以下步骤：

所述第一MOS晶体管中，在栅极蚀刻工序前向栅极电极的多晶硅预掺入极性不同于所述源漏电极杂质。

7.根据权利要求5所述半导体装置的制造方法，其特征在于，所述方法还包括以下步骤：

所述第二MOS晶体管中，在栅极蚀刻工序前向栅极电极的多晶硅预掺入极性与所述源漏电极相同的杂质。

8.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，所述半导体装置的制造方法至少包括以下步骤：

在硅衬底的表面形成多晶硅层及源漏电极；

在所述多晶硅层中设有第一注入区域及所述第一注入区域以外的第二注入区域；

在比第一注入区域大的范围被遮蔽的状态下，对所述多晶硅层掺入极性与源漏电极相同的第一杂质；

对所述多晶硅层进行蚀刻形成栅极电极；以及

在第二注入区域被遮蔽的状态下，向所述第一注入区域掺入与所述第一杂质极性相反的第二杂质；

所述第一注入区域形成第一区域，所述第二注入区域形成第二区域；

所述第一区域设置于栅极电极宽度的端部通过层叠方向的延长线上，所述第一区域与所述栅极电极宽度的各端部对应设置，所述第二区域的极性与所述源漏电极的极性相同，所述第一区域的极性不同于所述第二区域的极性。

9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：还包括

在所述第一注入区域被遮蔽的状态下，对所述第二注入区域掺入极性与源漏电极相同的杂质。

10.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：还包括对所述硅衬底进行退火的工序。