[发明专利]发光二极管芯片结构以及芯片移转系统与方法在审
| 申请号： | 202010448749.8 | 申请日： | 2020-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN113497170A | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 廖建硕 | 申请（专利权）人： | 台湾爱司帝科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/00;H01L21/677 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 黄隶凡 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种发光二极管芯片结构以及芯片移转系统与方法。芯片移转系统包括液体容置槽、承载基板及连接层移除模块。多个发光二极管芯片结构随机分布在液态物质内。发光二极管芯片结构通过承载基板的黏附以从液体容置槽移转到黏着基板上，再从黏着基板移转到电路基板上。连接层移除模块设置在多个发光二极管芯片结构的上方。每一发光二极管芯片结构包括发光二极管芯片、金属材料层及连接于发光二极管芯片与金属材料层间的可移除式连接层。借此，发光二极管芯片结构能通过承载基板与黏着基板的配合从液体容置槽移转到电路基板上，且可移除式连接层能通过连接层移除模块被移除，所以金属材料层能随着可移除式连接层的移除而脱离发光二极管芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 结构 以及 移转 系统 方法 | ||
【主权项】：
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