[发明专利]发光二极管芯片结构以及芯片移转系统与方法

说明书

本发明公开一种发光二极管芯片结构以及芯片移转系统与方法。芯片移转系统包括液体容置槽、承载基板及连接层移除模块。多个发光二极管芯片结构随机分布在液态物质内。发光二极管芯片结构通过承载基板的黏附以从液体容置槽移转到黏着基板上，再从黏着基板移转到电路基板上。连接层移除模块设置在多个发光二极管芯片结构的上方。每一发光二极管芯片结构包括发光二极管芯片、金属材料层及连接于发光二极管芯片与金属材料层间的可移除式连接层。借此，发光二极管芯片结构能通过承载基板与黏着基板的配合从液体容置槽移转到电路基板上，且可移除式连接层能通过连接层移除模块被移除，所以金属材料层能随着可移除式连接层的移除而脱离发光二极管芯片。

技术领域

本发明涉及一种芯片结构以及芯片移转系统与方法，特别是涉及一种发光二极管芯片结构以及发光二极管芯片移转系统与方法。

背景技术

发光二极管芯片(LED chip)通常利用吸嘴(nozzle)，以从一附加电路板上移转到一电路板上，但是此种芯片移转方式仍具有可改善空间。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种发光二极管芯片结构以及芯片移转系统与方法。

为了解决上述的技术问题，本发明所采用的其中一技术方案是提供一种发光二极管芯片结构，其包括：一发光二极管芯片、一可移除式连接层以及一金属材料层。所述发光二极管芯片的一顶端具有两个电极接点。所述可移除式连接层设置在所述发光二极管芯片的一底端上。所述金属材料层设置在所述可移除式连接层上。其中，所述可移除式连接层连接于所述发光二极管芯片与所述金属材料层之间，以使得当所述可移除式连接层被移除后，所述金属材料层脱离所述发光二极管芯片。

进一步地，所述发光二极管芯片为无基底的微发光二极管，其包括一P型半导体层、设置在所述P型半导体层上的一发光层以及设置在所述发光层上的一N型半导体层；其中，所述发光二极管芯片的所述底端完全被所述可移除式连接层所覆盖，且所述可移除式连接层的一底端完全被所述金属材料层所覆盖；其中，所述发光二极管芯片的多个侧面分别连接于所述可移除式连接层的多个侧面，所述可移除式连接层的多个所述侧面分别连接于所述金属材料层的多个侧面，且所述发光二极管芯片的多个所述侧面、所述可移除式连接层的多个所述侧面以及所述金属材料层的多个所述侧面都是切割面。

进一步地，所述发光二极管芯片为次毫米发光二极管，其包括一基底、设置在所述基底上的一P型半导体层、设置在所述P型半导体层上的一发光层以及设置在所述发光层上的一N型半导体层；其中，所述发光二极管芯片的所述底端完全被所述可移除式连接层所覆盖，且所述可移除式连接层的一底端完全被所述金属材料层所覆盖；其中，所述发光二极管芯片的多个侧面分别连接于所述可移除式连接层的多个侧面，所述可移除式连接层的多个所述侧面分别连接于所述金属材料层的多个侧面，且所述发光二极管芯片的多个所述侧面、所述可移除式连接层的多个所述侧面以及所述金属材料层的多个所述侧面都是切割面。

进一步地，所述发光二极管芯片结构设置在一承载基板上，且所述承载基板包括承载有多个热熔材料层的一承载本体以及设置在所述承载本体上或者内部的多个微加热器；其中，当多个所述微加热器分别对多个所述热熔材料层加热时，所述发光二极管芯片结构的所述金属材料层被黏附于相对应的所述热熔材料层，以定位所述发光二极管芯片结构相对于所述承载本体的位置。