[发明专利]发光二极管芯片结构以及芯片移转系统与方法

权利要求书

1.一种发光二极管芯片结构，其特征在于，所述发光二极管芯片结构包括：

一发光二极管芯片，所述发光二极管芯片的一顶端具有两个电极接点；

一可移除式连接层，所述可移除式连接层设置在所述发光二极管芯片的一底端上；以及

一金属材料层，所述金属材料层设置在所述可移除式连接层上；

其中，所述可移除式连接层连接于所述发光二极管芯片与所述金属材料层之间，以使得当所述可移除式连接层被移除后，所述金属材料层脱离所述发光二极管芯片。

2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片结构，其特征在于，所述发光二极管芯片为无基底的微发光二极管，其包括一P型半导体层、设置在所述P型半导体层上的一发光层以及设置在所述发光层上的一N型半导体层；其中，所述发光二极管芯片的所述底端完全被所述可移除式连接层所覆盖，且所述可移除式连接层的一底端完全被所述金属材料层所覆盖；其中，所述发光二极管芯片的多个侧面分别连接于所述可移除式连接层的多个侧面，所述可移除式连接层的多个侧面分别连接于所述金属材料层的多个侧面，且所述发光二极管芯片的多个侧面、所述可移除式连接层的多个侧面以及所述金属材料层的多个侧面都是切割面。

3.根据权利要求1所述的发光二极管芯片结构，其特征在于，所述发光二极管芯片为次毫米发光二极管，其包括一基底、设置在所述基底上的一P型半导体层、设置在所述P型半导体层上的一发光层以及设置在所述发光层上的一N型半导体层；其中，所述发光二极管芯片的所述底端完全被所述可移除式连接层所覆盖，且所述可移除式连接层的一底端完全被所述金属材料层所覆盖；其中，所述发光二极管芯片的多个侧面分别连接于所述可移除式连接层的多个侧面，所述可移除式连接层的多个侧面分别连接于所述金属材料层的多个侧面，且所述发光二极管芯片的多个侧面、所述可移除式连接层的多个侧面以及所述金属材料层的多个侧面都是切割面。

4.根据权利要求1所述的发光二极管芯片结构，其特征在于，所述发光二极管芯片结构设置在一承载基板上，且所述承载基板包括承载有多个热熔材料层的一承载本体以及设置在所述承载本体上或者内部的多个微加热器；其中，当多个所述微加热器分别对多个所述热熔材料层加热时，所述发光二极管芯片结构的所述金属材料层被黏附于相对应的所述热熔材料层，以定位所述发光二极管芯片结构相对于所述承载本体的位置。

5.一种芯片移转系统，其特征在于，所述芯片移转系统包括：

一液体容置槽，所述液体容置槽内容置有一液态物质，多个发光二极管芯片结构随机分布在所述液态物质内；

一承载基板，所述承载基板可移动地放置在所述液体容置槽内或者离开所述液体容置槽，所述承载基板包括承载有多个热熔材料层的一承载本体以及设置在所述承载本体上或者内部的多个微加热器，所述发光二极管芯片结构通过所述承载基板的黏附以从所述液体容置槽移转到一黏着基板上，然后所述发光二极管芯片结构再从所述黏着基板移转到一电路基板上；以及

一连接层移除模块，所述连接层移除模块设置在多个所述发光二极管芯片结构的上方；

其中，每一所述发光二极管芯片结构包括一发光二极管芯片、一可移除式连接层以及一金属材料层，所述发光二极管芯片的一顶端具有两个电极接点，所述可移除式连接层设置在所述发光二极管芯片的一底端上，所述金属材料层设置在所述可移除式连接层上。

6.根据权利要求5所述的芯片移转系统，其特征在于，当所述承载基板置入所述液体容置槽后，多个所述热熔材料层分别通过多个所述微加热器的加热而熔化，且每一所述发光二极管芯片结构的所述金属材料层被相对应的所述热熔材料层所黏附；其中，当所述承载基板离开所述液体容置槽后，被所述热熔材料层所黏附的所述发光二极管芯片结构通过所述承载本体的承载以移转到所述黏着基板的一黏着层上，然后所述发光二极管芯片结构再从所述黏着基板的所述黏着层移转到所述电路基板上；其中，当所述发光二极管芯片通过两个所述电极接点以电性连接于所述电路基板后，所述可移除式连接层通过所述连接层移除模块而被移除，以使得所述金属材料层脱离所述发光二极管芯片。