[发明专利]一种改善介电层孔隙的方法在审
| 申请号： | 202010446381.1 | 申请日： | 2020-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN111599761A | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 胡蕃廷;陈颖儒;刘立尧;胡展源 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种改善介电层孔隙的方法，提供基底、位于基底上相互间隔的多个多晶硅栅结构及其上的氮化硅、位于多晶硅栅结构侧壁的第一至第三侧墙；去除第二、第三侧墙及氮化硅；沉积氮化硅层和氧化硅层，旋涂光刻胶以填充满多晶硅栅结构之间空隙；去除多晶硅栅结构上的光刻胶，并向下过刻蚀氧化硅层，保留多晶硅栅结构之间的光刻胶；去除剩余光刻胶将多晶硅栅结构间底部的氧化硅层暴露；沉积氧化硅以填充满多晶硅栅结构之间空隙，研磨以平坦化多晶硅栅结构。本发明在刻蚀氧化硅过程中，通过保留栅极间的光刻胶，在后续栅极间再填充氧化硅来达到避免栅极间孔隙的出现，进而在后续平坦化栅极的过程中，避免孔隙暴露，改善了工艺，提高了芯片性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 介电层 孔隙 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
