[发明专利]一种改善介电层孔隙的方法在审
| 申请号： | 202010446381.1 | 申请日： | 2020-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN111599761A | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 胡蕃廷;陈颖儒;刘立尧;胡展源 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 介电层 孔隙 方法 | ||
1.一种改善介电层孔隙的方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：
步骤一、提供半导体结构，所述半导体结构包括：基底、位于所述基底上相互间隔的多个多晶硅栅结构、依次依附于所述多晶硅栅结构侧壁的第一至第三侧墙；所述多晶硅栅结构上表面设有氮化硅；
步骤二、去除所述第二、第三侧墙以及所述多晶硅栅结构上表面的所述氮化硅；
步骤三、在所述半导体结构上沉积氮化硅层，之后在该氮化硅层上沉积氧化硅层，并且所述氧化硅层的高度大于所述多晶硅栅结构的高度；
步骤四、在所述氧化硅层的上表面旋涂一层光刻胶，所述光刻胶填充满所述多晶硅栅结构之间空隙，并且所述光刻胶的高度大于所述多晶硅栅结构的高度；
步骤五、去除所述多晶硅栅结构上方的所述光刻胶，并向下过刻蚀所述氧化硅层至位于所述第一侧墙上的所述氮化硅层为止，并保留位于所述多晶硅栅结构之间的光刻胶；
步骤六、去除剩余的光刻胶将位于所述多晶硅栅结构之间底部的所述氧化硅层暴露出来；
步骤七、沉积一层氧化硅填充满所述多晶硅栅结构之间的空隙，并且沉积后氧化硅的高度大于所述多晶硅栅结构的高度；
步骤八、研磨以平坦化所述多晶硅栅结构，并研磨至所述多晶硅栅结构上表面为止。
2.根据权利要求1所述的改善介电层孔隙的方法，其特征在于：步骤一中的所述第二侧墙和第三侧墙都为氮化硅。
3.根据权利要求1所述的改善介电层孔隙的方法，其特征在于：步骤二中利用湿法刻蚀工艺去除所述第二、第三侧墙以及位于所述多晶硅栅结构上表面的氮化硅。
4.根据权利要求1所述的改善介电层孔隙的方法，其特征在于：步骤三中在所述半导体结构上沉积的所述氮化硅层填充了所述多晶硅结构之间的基底上表面。
5.根据权利要求1所述的改善介电层孔隙的方法，其特征在于：步骤五中采用干法刻蚀去除位于所述多晶硅栅结构上方的所述光刻胶。
6.根据权利要求5所述的改善介电层孔隙的方法，其特征在于：步骤五中在所述干法刻蚀过程中，向下刻蚀所述光刻胶至所述多晶硅栅结构上的所述氧化硅层停止；之后采用选择比高的气体刻蚀所述氧化硅层至位于所述第一侧墙上的所述氮化硅层为止，并保留位于所述多晶硅栅结构之间的光刻胶保留。
7.根据权利要求1所述的改善介电层孔隙的方法，其特征在于：步骤六中采用灰化工艺去除剩余的所述光刻胶。
8.根据权利要求1所述的改善介电层孔隙的方法，其特征在于：步骤八中采用化学机械研磨工艺平坦化所述多晶硅栅结构。
9.根据权利要求8所述的改善介电层孔隙的方法，其特征在于：步骤八中的所述化学机械研磨工艺采用等比例研磨所述氧化硅和所述氮化硅层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
