[发明专利]晶圆级三维异质集成器件的多层制备方法及系统

摘要

本发明提供了一种晶圆级三维异质集成器件的多层制备方法及系统，针对长周期多层介质工艺流程中多次光刻显影金属层氧化剥离，以及长时间电镀导致的介质脱落等现象，提出在衬底金属层之上先旋涂一层较薄的电介质作为保护层，工艺流程到金属顶层再将保护层选择性刻蚀至贯通，溅射电镀金属与底层金属互联；针对制作微小图形光刻显影不彻底导致图形不准的情况，提出在光敏电介质光刻显影图形后，旋涂一层与电介质同性的光刻胶光刻显影(与介质层图形相同)，采用等离子体刻蚀的方法将不准的图形边缘刻蚀去除。本发明有效解决了基于光敏电介质的晶圆级多层三维封装工艺中电介质脱胶和图形精度不高的问题。