[发明专利]晶圆级三维异质集成器件的多层制备方法及系统

权利要求书

1.一种晶圆级三维异质集成器件的多层制备方法，其特征在于,包括：

步骤S1：在衬底上制备薄层BCB，进行高温固化，该层作为保护层；

步骤S2：制作含通孔的多层BCB；

步骤S3：制作金属互连层；

步骤S4：制作互连层之上含通孔的多层BCB；

步骤S5：在BCB上旋涂同性光刻胶QN5300，光刻显影相同图案；

步骤S6：刻蚀步骤S1中的薄层BCB，形成贯通孔；

步骤S7：去除QN5300，制备顶层金属层；

步骤S8：获取基于光敏电介质的晶圆级三维异质集成器件的多层制备结果信息。

2.根据权利要求1所述的一种晶圆级三维异质集成器件的多层制备方法，其特征在于，步骤S1包括：

步骤S1.1：采用转速大于设定阈值的旋涂液体电介质。

3.根据权利要求1所述的一种晶圆级三维异质集成器件的多层制备方法，其特征在于，步骤S1包括：

步骤S1.2：采取温度高于设定阈值的固化操作。

4.根据权利要求1所述的一种晶圆级三维异质集成器件的多层制备方法，其特征在于，所述步骤S2包括：

步骤S2.1：采用光刻工艺制作金属化通孔，所述金属化通孔的形状采用以下任意一种形状：

-圆锥台形；

-四棱台形。

5.根据权利要求1所述的一种晶圆级三维异质集成器件的多层制备方法，其特征在于，所述步骤S5包括：

步骤S5.1：使用负性光刻胶辅助做选择性保护层，刻蚀形成贯通孔。

6.一种晶圆级三维异质集成器件的多层制备系统，其特征在于,包括：

模块M1：在衬底上制备薄层BCB，进行高温固化，该层作为保护层；

模块M2：制作含通孔的多层BCB；

模块M3：制作金属互连层；

模块M4：制作互连层之上含通孔的多层BCB；

模块M5：在BCB上旋涂同性光刻胶QN5300，光刻显影相同图案；

模块M6：刻蚀模块M1中的薄层BCB，形成贯通孔；

模块M7：去除QN5300，制备顶层金属层；

模块M8：获取基于光敏电介质的晶圆级三维异质集成器件的多层制备结果信息。

7.根据权利要求6所述的一种晶圆级三维异质集成器件的多层制备系统，其特征在于，模块M1包括：

模块M1.1：采用转速大于设定阈值的旋涂液体电介质。

8.根据权利要求6所述的一种晶圆级三维异质集成器件的多层制备系统，其特征在于，模块M1包括：

模块M1.2：采取温度高于设定阈值的固化操作。

9.根据权利要求6所述的一种晶圆级三维异质集成器件的多层制备系统，其特征在于，所述模块M2包括：

模块M2.1：采用光刻工艺制作金属化通孔，所述金属化通孔的形状采用以下任意一种形状：

-圆锥台形；

-四棱台形；

所述模块M5包括：

模块M5.1：使用负性光刻胶辅助做选择性保护层，刻蚀形成贯通孔。

10.一种晶圆级三维异质集成器件，其特征在于，采用权利要求1-4任一项所述的晶圆级三维异质集成器件的多层制备方法制成。