[发明专利]壳体及其镀膜工艺、电子设备在审
| 申请号： | 202010431230.9 | 申请日： | 2020-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN113699484A | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 田彪;陈志斌 | 申请（专利权）人： | 深圳市万普拉斯科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/10;C23C14/18;C23C14/34;C23C14/54 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 汪洁丽 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种壳体及其镀膜工艺、电子设备。该壳体的镀膜工艺，包括：在基板上制备五氧化二铌薄膜，在五氧化二铌薄膜上制备硅过渡层，以及使硅在五氧化二铌薄膜的表面发生氧化反应，以使硅掠夺五氧化二铌薄膜中的氧原子得到氧化硅薄膜。该壳体的镀膜工艺中，通过使硅掠夺五氧化二铌薄膜中的氧原子得到氧化硅薄膜，可以改变所镀的薄膜层组的电阻。以此，通过控制硅对五氧化二铌薄膜中的氧原子的掠夺量，即可得到不同电阻的薄膜层组，从而实现壳体薄膜层组的丰富化。 | ||
| 搜索关键词： | 壳体 及其 镀膜 工艺 电子设备 | ||
【主权项】：
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