[发明专利]壳体及其镀膜工艺、电子设备

权利要求书

1.一种壳体的镀膜工艺，其特征在于，包括：

提供基板；

在所述基板上制备一层五氧化二铌薄膜；

在所述五氧化二铌薄膜远离所述基板的表面制备一层硅过渡层；

使所述硅过渡层在所述五氧化二铌薄膜的表面发生氧化反应，以使所述硅过渡层掠夺所述五氧化二铌薄膜中的氧原子得到氧化硅薄膜。

2.根据权利要求1所述的壳体的镀膜工艺，其特征在于，所述在所述五氧化二铌薄膜远离所述基板的表面制备一层硅过渡层，包括：

在真空镀膜设备中通入氧气；

以硅板为靶材，对所述硅板施加靶材电压，以使所述靶材溅射硅原子，所述硅原子附着在所述五氧化二铌薄膜表面形成硅过渡层。

3.根据权利要求2所述的壳体的镀膜工艺，其特征在于，所述硅板与所述五氧化二铌薄膜之间还设有修正板，以通过调节所述修正板的长度，调节所述硅过渡层的制备速度。

4.根据权利要求2所述的壳体的镀膜工艺，其特征在于，所述以硅板为靶材，对所述硅板施加靶材电压，以使所述靶材溅射硅原子之后，还包括：

调节所述靶材电压，以调节所述硅原子的溅射速率，从而调节所述硅对所述五氧化二铌薄膜中的氧原子的掠夺量。

5.根据权利要求2所述的壳体的镀膜工艺，其特征在于，所述以硅板为靶材，对所述硅板施加靶材电压，以使所述靶材溅射硅原子之后，还包括：

调节所述氧气的通入速率，以调节所述硅原子对所述五氧化二铌薄膜中的氧原子的掠夺速率。

6.根据权利要求2所述的壳体的镀膜工艺，其特征在于，所述真空镀膜设备包括等离子镀膜设备，以通过所述等离子镀膜设备使硅附着至所述五氧化二铌薄膜的表面后发生氧化反应。

7.根据权利要求6所述的壳体的镀膜工艺，其特征在于，所述以硅板为靶材，对所述硅板施加靶材电压，以使所述靶材溅射硅原子之后，还包括：

调节所述等离子镀膜设备的功率，以调节所述硅原子对所述五氧化二铌薄膜中的氧原子的掠夺速率。

8.一种壳体，其特征在于，包括：

基板；

薄膜层组，位于所述基板的一个表面，所述薄膜层组包括靠近所述基板的五氧化二铌薄膜及远离所述基板的氧化硅薄膜，其中，所述氧化硅薄膜由硅在所述五氧化二铌薄膜的表面发生氧化反应得到，以使所述氧化硅薄膜中的氧原子的至少部分来自所述五氧化二铌薄膜。

9.根据权利要求8所述的壳体，其特征在于，包括若干个层叠设置的所述薄膜层组；

若干个所述薄膜层组的电阻大小不同。

10.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求8或9所述的壳体。