[发明专利]壳体及其镀膜工艺、电子设备

说明书

本发明涉及一种壳体及其镀膜工艺、电子设备。该壳体的镀膜工艺，包括：在基板上制备五氧化二铌薄膜，在五氧化二铌薄膜上制备硅过渡层，以及使硅在五氧化二铌薄膜的表面发生氧化反应，以使硅掠夺五氧化二铌薄膜中的氧原子得到氧化硅薄膜。该壳体的镀膜工艺中，通过使硅掠夺五氧化二铌薄膜中的氧原子得到氧化硅薄膜，可以改变所镀的薄膜层组的电阻。以此，通过控制硅对五氧化二铌薄膜中的氧原子的掠夺量，即可得到不同电阻的薄膜层组，从而实现壳体薄膜层组的丰富化。

技术领域

本发明涉及电子设备技术领域，特别是涉及一种壳体及其镀膜工艺、电子设备。

背景技术

随着消费类电子设备的日新月异，消费者对于消费类电子设备的要求也越来越高，也更加注重电子设备的外观设计。因此，现有技术中，会在电子设备的壳体上进行镀膜，以实现壳体的炫彩效果。

然而，电子设备在运用中需要对壳体上所镀的膜层进行电阻管控。

发明人在实现传统技术的过程中发现：传统的壳体镀膜工艺，所得的膜层的电阻单一。

发明内容

基于此，有必要针对传统技术中镀膜工艺所得的膜层的电阻单一的问题，提供一种壳体及其镀膜工艺、电子设备。

一种壳体的镀膜工艺，包括：

提供基板；

在所述基板上制备一层五氧化二铌薄膜；

在所述五氧化二铌薄膜远离所述基板的表面制备一层硅过渡层；

使所述硅过渡层在所述五氧化二铌薄膜的表面发生氧化反应，以使所述硅过渡层掠夺所述五氧化二铌薄膜中的氧原子得到氧化硅薄膜。

在其中一个实施例中，所述在所述五氧化二铌薄膜远离所述基板的表面制备一层硅过渡层，包括：

在真空镀膜设备中通入氧气；

以硅板为靶材，对所述硅板施加靶材电压，以使所述靶材溅射硅原子。

在其中一个实施例中，所述硅板与所述五氧化二铌薄膜之间还设有修正板，以通过调节所述修正板的长度，调节所述硅过渡层的制备速度。

在其中一个实施例中，所述以硅板为靶材，对所述硅板施加靶材电压，以使所述靶材溅射硅原子之后，还包括：

调节所述靶材电压，以调节所述硅原子的溅射速率，从而调节所述硅对所述五氧化二铌薄膜中的氧原子的掠夺量。

在其中一个实施例中，所述以硅板为靶材，对所述硅板施加靶材电压，以使所述靶材溅射硅原子之后，还包括：

调节所述氧气的通入速率，以调节所述硅原子对所述五氧化二铌薄膜中的氧原子的掠夺速率。

在其中一个实施例中，所述真空镀膜设备包括等离子镀膜设备，以通过所述等离子镀膜设备使硅附着至所述五氧化二铌薄膜的表面后发生氧化反应。

在其中一个实施例中，所述以硅板为靶材，对所述硅板施加靶材电压，以使所述靶材溅射硅原子之后，还包括：

调节所述等离子镀膜设备的功率，以调节所述硅原子对所述五氧化二铌薄膜中的氧原子的掠夺速率。

一种壳体，包括：

基板；

薄膜层组，位于所述基板的一个表面，所述薄膜层组包括靠近所述基板的五氧化二铌薄膜及远离所述基板的氧化硅薄膜，其中，所述氧化硅薄膜由硅在所述五氧化二铌薄膜的表面发生氧化反应得到，以使所述氧化硅薄膜中的氧原子的至少部分来自所述五氧化二铌薄膜。

在其中一个实施例中，所述壳体包括若干个层叠设置的所述薄膜层组；