[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202010430509.5 | 申请日： | 2020-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN111584616A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 陈笋弘;郑存闵;李瑞珉;项伟;朱人伟 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/762;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 230012 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其形成方法。所述形成方法在利用填充材料填充预处理基片上的第一沟槽之前，形成了辅助层覆盖第一沟槽的内表面，接着形成第一填充介质并进行回刻蚀，所得到的第一填充介质的上表面高于预处理基片的上表面，接着形成第二填充介质并执行第二平坦化工艺，由于第一沟槽区域的研磨量较周围区域大，在完成第二平坦化工艺后，在第一沟槽区域不容易发生凹陷问题。填充第一沟槽的过程不需要采用光阻以及曝光工艺，实施方便，成本较低。利用上述形成方法形成的半导体结构，由于可以得到平整度较佳的表面，因而质量较高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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