[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供一预处理基片，所述预处理基片具有第一沟槽；

形成辅助层在所述预处理基片上，所述辅助层覆盖所述第一沟槽的内表面以及所述预处理基片的上表面；

形成第一填充介质在所述预处理基片上，所述第一填充介质覆盖所述辅助层且填满所述第一沟槽；

执行第一平坦化工艺直至露出所述辅助层，剩余的所述第一填充介质位于所述第一沟槽内且被所述辅助层包围；

回刻蚀所述辅助层，使所述辅助层的上表面低于所述第一填充介质的上表面；

形成第二填充介质在所述预处理基片上，所述第二填充介质覆盖在所述第一填充介质、所述辅助层以及所述预处理基片上，且上表面高于所述预处理基片上表面；以及

执行第二平坦化工艺直至露出所述预处理基片上表面。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在回刻蚀所述辅助层的步骤中，所述辅助层相对于所述第一填充介质的刻蚀选择比大于5。

3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一平坦化工艺和所述第二平坦化工艺均采用化学机械研磨。

4.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，形成所述第一沟槽包括：

在一半导体衬底上依次叠加形成垫氧化层和硬掩膜层，并图形化处理所述硬掩膜层；

利用图形化的所述硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述垫氧化层和所述半导体衬底，以形成隔离沟槽；以及

形成表面氧化层在所述隔离沟槽内表面及所述预处理基片的上表面。

5.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，回刻蚀所述辅助层后，所述辅助层的上表面低于所述半导体衬底的上表面。

6.如权利要求1至5任一项所述的形成方法，其特征在于，所述预处理基片具有第二沟槽，所述第二沟槽的宽度小于所述第一沟槽的宽度；在执行第一平坦化工艺之前，所述辅助层填满所述第二沟槽。

7.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，回刻蚀所述辅助层后，所述第二沟槽内保留部分所述辅助层；在形成所述第二填充介质后，所述第二填充介质覆盖所述辅助层且填满所述第二沟槽。

8.如权利要求1至5任一项所述的形成方法，其特征在于，所述辅助层包括氮化硅，所述第一填充介质和所述第二填充介质均包括氧化硅。

9.一种半导体结构，其特征在于，采用如权利要求1至8中任一项所述的形成方法制作而成，所述半导体结构包括：

预处理基片，所述预处理基片具有第一沟槽；

辅助层，所述辅助层覆盖所述第一沟槽的底表面以及与所述底表面连接的部分侧表面；以及

填充介质，所述填充介质覆盖所述辅助层且填满所述第一沟槽。

10.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构为浅沟槽隔离结构。