[发明专利]用于功率MOSFET的镜像装置结构和制造方法在审
| 申请号： | 202010425982.4 | 申请日： | 2020-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN111969057A | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 覃甘明;李峰;维什努·克姆卡;莫安斯·齐图尼;塔努杰·萨克塞纳 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 罗松梅 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种MOSFET包括衬底，衬底具有第一导电类型的体区。在衬底中形成有主场效应晶体管(主FET)和镜像装置。主FET包括第一栅极沟槽、第二导电类型的第一源极区以及第一导电类型的第一体注入区，第一源极区与第一栅极沟槽相邻，第一体注入区延伸到与第一源极区相邻并插置于第一源极区之间的体区中。镜像装置包括第二栅极沟槽、第二导电类型的第二源极区、第一导电类型的第二体注入区以及第一导电类型的链接元件，第二源极区与第二栅极沟槽相邻，第二体注入区延伸到与第二源极区相邻并插置于第二源极区之间的体区中，链接元件将第二体注入区的对互连。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 功率 mosfet 装置 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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