[发明专利]用于功率MOSFET的镜像装置结构和制造方法

权利要求书

1.一种金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底具有上表面和下表面，所述衬底包括第一导电类型的体区；

主场效应晶体管(主FET)，所述主FET形成于所述衬底中，所述主FET包括第一栅极沟槽、第二导电类型的第一源极区以及所述第一导电类型的第一体注入区，所述第一栅极沟槽从所述上表面延伸到所述体区中，所述第一源极区与所述第一栅极沟槽相邻，所述第二导电类型不同于所述第一导电类型，所述第一体注入区延伸到与所述第一源极区相邻并插置于所述第一源极区之间的所述体区中，其中所述第一体注入区的掺杂浓度超过所述体区的背景掺杂浓度；以及

镜像装置，所述镜像装置形成于所述衬底中，所述镜像装置包括一个或多个第二栅极沟槽、所述第二导电类型的第二源极区、所述第一导电类型的第二体注入区以及所述第一导电类型的链接元件，所述一个或多个第二栅极沟槽从所述上表面延伸到所述体区中，所述第二源极区与所述第二栅极沟槽相邻，所述第二体注入区延伸到与所述第二源极区相邻并插置于所述第二源极区之间的所述体区中，其中所述第二体注入区的掺杂浓度超过所述体区的所述背景掺杂浓度，所述链接元件将所述第二体注入区的对互连。

2.根据权利要求1所述的MOSFET，其特征在于，所述主FET不包括将所述第一体注入区的对互连的链接元件。

3.根据权利要求1所述的MOSFET，其特征在于，所述链接元件具有与所述第二体注入区的所述掺杂浓度相同的掺杂浓度。

4.根据权利要求1所述的MOSFET，其特征在于，所述第二体注入区间隔开一定间隙，并且所述链接元件跨越所述间隙以将所述镜像装置的所述第二体注入区的所述对互连。

5.根据权利要求1所述的MOSFET，其特征在于，

所述第二体注入区中的每个体注入区由所述衬底的所述上表面处的体注入区宽度表征；并且

所述链接元件中的每个链接元件由所述衬底的所述上表面处的链接元件宽度表征，所述体注入区宽度和所述链接元件宽度朝向为垂直于所述第二栅极沟槽的纵向尺寸，并且所述链接元件宽度小于所述体注入区宽度。

6.根据权利要求1所述的MOSFET，其特征在于，所述第二体注入区中的通过所述链接元件之一与所述第二体注入区中的另一个第二体注入区互连的每个第二体注入区不与所述第二体注入区中的相邻的一个第二体注入区互连。

7.根据权利要求1所述的MOSFET，其特征在于，所述链接元件将所述第二体注入区中的所述对中的每隔一对互连。

8.根据权利要求1所述的MOSFET，其特征在于，所述第二体注入区的每对由所述链接元件中的不同的一个链接元件互连。

9.一种用于形成具有嵌入式镜像装置的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的方法，其特征在于，所述方法包括：

提供具有上表面和下表面的衬底，所述衬底包括第一导电类型的体区；

在所述衬底中形成主场效应晶体管(主FET)，所述主FET包括第一栅极沟槽、第二导电类型的第一源极区以及所述第一导电类型的第一体注入区，所述第一栅极沟槽从所述上表面延伸到所述体区中，所述第一源极区与所述第一栅极沟槽相邻，所述第二导电类型不同于所述第一导电类型，所述第一体注入区延伸到与所述第一源极区相邻并插置于所述第一源极区之间的所述体区中，其中所述第一体注入区的掺杂浓度超过所述体区的背景掺杂浓度；以及

在所述衬底中形成镜像装置，所述镜像装置包括一个或多个第二栅极沟槽、所述第二导电类型的第二源极区、所述第一导电类型的第二体注入区以及所述第一导电类型的链接元件，所述一个或多个第二栅极沟槽从所述上表面延伸到所述体区中，所述第二源极区与所述第二栅极沟槽相邻，所述第二体注入区延伸到与所述第二源极区相邻并插置于所述第二源极区之间的所述体区中，其中所述第二体注入区的掺杂浓度超过所述体区的所述背景掺杂浓度，所述链接元件将所述第二体注入区的对互连。

10.一种金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底具有上表面和下表面，所述衬底包括第一导电类型的体区；

主场效应晶体管(主FET)，所述主FET形成于所述衬底中，所述主FET包括第一栅极沟槽、第二导电类型的第一源极区以及所述第一导电类型的第一体注入区，所述第一栅极沟槽从所述上表面延伸到所述体区中，所述第一源极区与所述第一栅极沟槽相邻，所述第二导电类型不同于所述第一导电类型，所述第一体注入区延伸到与所述第一源极区相邻并插置于所述第一源极区之间的所述体区中，其中所述第一体注入区的掺杂浓度超过所述体区的背景掺杂浓度；以及

镜像装置，所述镜像装置形成于所述衬底中，所述镜像装置包括一个或多个第二栅极沟槽、所述第二导电类型的第二源极区、所述第一导电类型的第二体注入区以及所述第一导电类型的链接元件，所述一个或多个第二栅极沟槽从所述上表面延伸到所述体区中，所述第二源极区与所述第二栅极沟槽相邻，所述第二体注入区延伸到与所述第二源极区相邻并插置于所述第二源极区之间的所述体区中，其中所述第二体注入区的掺杂浓度超过所述体区的所述背景掺杂浓度，所述链接元件将所述第二体注入区的对互连，所述链接元件具有与所述第二体注入区的所述掺杂浓度相同的掺杂浓度，其中所述主FET不包括将所述第一体注入区的对互连的链接元件。